MoneyDJ新聞 2026-08-07 12:24:18 邱建齊 發佈
隨著晶片製程技術進入奈米數愈來愈小的世代，當微縮遭遇嚴重的物理極限時，現有的矽材料已難以為繼，這也促使半導體巨頭如台積電(2330)、英特爾(Intel)開始尋找全新的二維材料，並且目前已將範圍縮小到二硫化鉬及二硒化鎢成為最有機會的候選人，若硫與鉬的組合雀屏中選，三氧化鉬成為最源頭的前驅物。稀有金屬資源化業者華鉬(6990)目前已能產出最高達3N的觸媒級(純度99.5% ~99.9%)三氧化鉬，接下來持續努力以達半導體等級為目標。
當晶片製程技術進入到2奈米以下，矽就開始會遇到物理極限、甚至再更小就有漏電可能，台積電、Intel幾年前就已經在尋找替代材料，並明確往二維材料方向尋找，最早曾聚焦石墨烯但不具備半導體特性，目前範圍縮小到鉬和鎢的硫化物或硒化物，其中以二硫化鉬和二硒化鎢的方向運用在半導體上較有機會取代矽，但畢竟尚未量產化，仍各有各的瓶頸待突破。
假設未來由二硫化鉬脫穎而出，華鉬指出，屆時須用CVD(化學氣相沉積)形成二硫化鉬薄膜，形成二硫化鉬薄膜需用到鉬的前驅物，前驅物目前的幾個可行性包括有機類的鉬或二氯二氧化鉬，無論使用哪種前驅物，最源頭都要用到三氧化鉬。
華鉬目前已在生產三氧化鉬，但要打入半導體供應鏈只需要再提升等級，公司指出，今(2026)年才剛對此立案，接下來要先找方向、研究、試做，試做完後還有第一階段驗證及後續的廠商驗證，後面還有很長的路要走，現在只是立下方向。
華鉬目前基本具備工業級量產能力並可生產出觸媒級的高純三氧化鉬，接下來就是要從3N跨入4N及以上等級，但每增加一個N就是往上跳一個門檻，都有相對的難度需要努力克服。
