MoneyDJ新聞 2020-01-30 08:33:52 記者 陳苓 報導
為了簡化晶圓製程和強化競爭力，外界預估三星電子今年將首度使用極紫外光(EUV)微影設備，生產次世代DRAM。
韓媒BusinessKorea報導，業界觀察家表示，今年或明年年初，三星電子將使用EUV微影設備，生產10奈米DRAM(1z)或1a DRAM。去年3月，三星宣布研發出業界首見的1z DRAM，當時三星表示預定2019年下半量產。
The Guru of 3D解釋，1x製程可能是19~17奈米、1y可能是16~14奈米、1z可能是13~10奈米，之後為1a、1b等。
證券商研究員說，三星正在測試運用EUV微影設備生產1y和1x DRAM，不過他們預期真正用上此類設備，可能是今年底生產1a DRAM之時。
使用EUV微影設備可以大幅提高三星的生產力，進一步拉大和SK海力士與美光(Micron)的差距。目前SK海力士和美光尚未計畫採用EUV微影設備生產DRAM。
研調：2020年記憶體有望擺脫慘況
IC Insights預測，2020年NAND flash和DRAM將強勢成長，銷售增幅在33種主要IC產品中，將分居第一、第三名。
IC Insights新聞稿稱(見此)，2020年預測成長最快IC產品中，NAND flash排第一、DRAM排第三。2019年NAND flash銷售重挫27%、估計2020年將強彈19%。2019年DRAM銷售狂摔37%，表現在所有IC產品中墊底，預測2020年DRAM買氣將提高12%。
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