精實新聞 2013-05-17 09:33:41 記者 羅毓嘉 報導
電子產品驗證服務商宜特(3289)持續拓展IC失效研究的技術佈局，近期展現「3DIC微凸塊失效觀察」、「IC電磁輻射消除」與「EOS 脈衝波過電保護」等3技術領域的研究成果；宜特指出，相關IC技術研究的拓展，已經實際應用在客戶產品的驗證與分析上，預期可縮短客戶未來產品的開發、驗證時程，使客戶可以快速邁向量產階段。
宜特的「3DIC微凸塊失效觀察」、「IC電磁輻射消除」與「EOS 脈衝波過電保護」等3項解決方案研究，將在今年7月15-19日於蘇州舉行的積體電路失效分析論壇(International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits, IPFA)上發表。
宜特指出，3D IC的微凸塊失效可靠著2種方式克服，其一是利用研磨技術定位3DIC的微凸塊(u-bump)失效區域，並搭配聚焦離子束顯微鏡(FIB)，將其失效微凸塊切削進行斷面觀察；其二是擴大對微凸塊觀察檢測的範圍，觀察區域從100微米提升至3000微米。宜特表示，這兩項技術也可使用在3DIC的矽穿孔(TSV)結構觀察。
而在IC電磁輻射消除研究方面，宜特透過新開發的檢測方式，將任意電容值的電容放置於IC晶片上，並與IC內部的訊號節點作連結，藉此方法，客戶不需重新投片生產晶片，即可找到電磁輻射的干擾源並加以消除，提供IC設計者更高性價比的電磁干擾解決方案。
在「EOS 脈衝波過電保護」上，宜特則藉由脈衝波模擬不同製程的IC過電，從其產生的過度電性應力(EOS)機制進行研究，並藉此提供客戶更簡易地方式，對電子元件進行抗受力測試，亦可對元件的過電保護提供有效的參考指標。
宜特營運長林正德指出，宜特持續在IC技術領域拓展研究能量，並已經實際應用、導入檢驗客戶的產品，可大幅縮短客戶產品開發驗證時程，使客戶快速邁向量產階段。
隨著IC設計架構往28奈米縮微、以及3D晶片設計日趨複雜，IC設計公司為加快晶片上市速度以滿足快速演進的行動通訊裝置市場需求，委外檢驗、檢測與故障分析的需求亦不斷放大，成為宜特營運的最主要支撐；今年前4月，宜特累計營收為4.99億元，較去年同期成長8.6%。
宜特指出，各項IC測試服務訂單回流，再加上子公司標準科技的類比IC測試業務回溫，以及宜特整合中國市場的業務資源，整併綜效已經開始收效，使得宜特4月份合併營收成功締造新高紀錄；宜特也看好Q2業績若無意外，將可更上一層樓。
