MoneyDJ新聞 2026-07-24 11:49:59 郭妍希 發佈
SK海力士(SK Hynix)近日才剛否認有關收購英特爾(Intel Corp.)正於俄亥俄州興建的晶圓廠的傳聞，但英特爾高層卻在電話會議特別點名SK海力士前執行長，引發市場聯想雙方可能會攜手投入合資事業。
韓國《中央日報》22日獨家報導，SK海力士正在跟英特爾協商，準備併購該公司位於俄亥俄州龐大的半導體園區，目標是在五年內展開前端記憶體晶片生產作業。據傳，SK海力士已進入內部審核與申請政府許可的階段。併購價碼及時間點還在協調中。
不過，Barron`s報導，SK海力士22日隨即向韓國交易所提交公告表示，「從未推動，也未決定收購英特爾俄亥俄州廠區」，但強調公司仍持續「評估各項投資及併購機會」。
英特爾發言人則向Barron`s表示：「英特爾會持續投入俄亥俄州計畫，並持續加碼投資，以加快廠區的建設準備工作。」
不過，Wccftech 23日報導，多種跡象顯示，英特爾至少已開始思考在記憶體領域進行相關布局。
目前英特爾已投入開發名為Z-Angle Memory (ZAM)的新一代記憶體技術。ZAM是一種3D堆疊DRAM架構，以斜向互連取代傳統矽穿孔(Through-Silicon Via，TSV)，形成中央散熱柱(central thermal pillar)，可提升散熱效率；同時還採用銅對銅( copper-to-copper)混合鍵結(hybrid bonding )技術，並取消傳統電容設計，以進一步提升記憶體密度。
依照目前規畫，英特爾最快將於2029年才會將這項技術推向商業化。
然而，當分析師23日在英特爾財報電話會議上詢問公司的記憶體布局時，英特爾的回答卻引發市場矚目。管理層表示，「英特爾在記憶體領域擁有深厚的歷史。最近我們延攬了李錫熙(Shou-Chi Lee)加入團隊，他曾擔任SK海力士執行長。」
市場認為，英特爾特別點名前SK海力士執行長，格外耐人尋味。近來市場持續傳出，英特爾與SK海力士可能針對總投資額約280億美元的俄亥俄州「Ohio One」晶圓廠進行合資。若合作成真，英特爾不但有人分攤龐大的建廠成本，也有助推動其結合邏輯晶片與記憶體技術的長期策略。
值得注意的是，SK集團(SK Group)會長崔泰源(Chey Tae-won)日前剛警告，當前記憶體的價格「高到異常」，為了半導體廠商自身的長遠利益著想，「需增加供給來壓抑價格」。另外，出於擴產與因應貿易壓力的考量，SK集團正在評估於美國建置SK海力士半導體晶圓廠的可能性。
崔泰源當時表示，明(2027)年的供應短缺情況將進一步惡化。「明年沒有任何一家公司能大幅增加供給，情況嚴峻到我甚至不知該不該用『混亂』來形容。」他透露，「我目前收到來自各方的需求請求，甚至包括外國政府向韓國政府施加的壓力。」
美國商務部長盧特尼克(Howard Lutnick)7月9日在記憶體大廠美光(Micron Technology Inc.)的紐約晶圓廠灌漿典禮上公開向南韓半導體巨頭三星電子(Samsung Electronics)與SK海力士施壓，要求兩家公司在美國本土建造記憶體晶圓廠。他說，鑒於美光正積極擴大美國本土的製造規模，其亞洲對手「別無選擇，只能跟進」(no choice but to follow)，前往美國進行投資。盧特尼克並證實，自己正在跟三星與SK海力士高層積極討論擴建計畫。
(圖片來源：shutterstock)
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