MoneyDJ新聞 2016-06-14 10:12:31 記者 新聞中心 報導
環球晶(6488)旗下「低阻值矽基板之氮化鎵磊晶工程與射頻元件製程開發計畫」於今(105)年5月中通過科學工業園區研發精進產學合作計畫，並已於上週(8日)與新竹科學工業園區管理局完成簽約；公司表示，盼經由與清華大學的產學合作，能成功開發低阻值矽基板之氮化鎵磊晶工程與射頻元件製程，以因應未來智慧生活的時代來臨並引領工業4.0的全面導入，展現台灣半導體產業的精湛技術實力並成功行銷全球。
環球晶表示，公司與清大電子工程研究所教授徐碩鴻共同研究合作「低阻值矽基板之氮化鎵磊晶工程與射頻元件製程開發計畫」，計劃執行期間自105年5月1日至106年4月30日，公司今年1月以此計畫向竹科工業園區管理局申請105年度科學工業園區研發精進產學合作計畫，今年5月業經審查通過，並於6月8日與新竹科學園區管局辦理簽約事宜，公司為該計劃的申請機構，清大為該計劃的學研機構。
環球晶指出，新世代氮化鎵Radio Frequency(RF)元件，主要是成長在半絕緣碳化矽(GaN on SiC)，其優點是高電子遷移率，但缺點是SiC基板非常昂貴，藉由此計劃，公司將開發於CZ低阻值基板上成長GaN，並應用在RF元件，此為技術上的一大創新與突破，將對RF元件會有破壞式的創新，公司的「低阻值矽基板之氮化鎵磊晶工程與射頻元件製程開發計畫」利用公司特有雙摻強化基板技術與使用新穎氮化鎵磊晶成長技術，使用低阻值高強度矽基板取代傳統高成本SiC或FZ高阻值矽基板，並搭配清大電子工程研究所的先進半導體製程技術，預期其結果將超越使用成長於高阻值矽基板上之高頻特性水準。
環球晶表示，由於高功率與高頻率之優點，GaN RF未來的市場需求將會持續成長，公司之「低阻值矽基板之氮化鎵磊晶工程與射頻元件製程開發計畫」使用低阻值高強度矽基板上成長氮化鎵磊晶，此技術於RF元件上具有低成本與高單價之競爭優勢，進而提昇公司的產品競爭力；此外，經由此計畫所開發之技術，將可提升高電子移動率電晶體(HEMT)產業鏈之競爭力，而因應寬能隙材料的崛起，除了逐漸明朗的Power HEMT外，射頻(RF)元件也備受關注。
此外，環球晶也指出，隨著科技的發展，工業4.0、大數據時代、智慧電網、智慧家庭以及電動車等民生需求，氮化鎵具有良好特性的優勢競爭力是高頻元件所不可或缺的，以Total Cost of Ownership(TCO)及高頻特性來看，GaN on Si使用於RF上，是切入民生需求最好的選擇，公司為首家發展氮化鎵射頻元件成長於低阻值矽基板之技術，對此結構的技術特徵，公司將持續朝具發展潛力的市場進行專利佈局。
