MoneyDJ新聞 2014-10-21 16:21:45 記者 陳苓 報導
三星電子(Samsung Electronics)想當高階DRAM的市場龍頭，積極擴充20奈米產線，21日宣布開始量產企業伺服器用的8 gigabit(Gb)DDR4記憶體，產線由個人電腦晶片拓展至企業市場。
韓聯社21日報導，三星稱8Gb DDR4技術領先業界，採用20奈米製程，處理效能提高30%，達2,400 Mbps。新品也更為省電，電壓為2.1伏特，優於DDR3的1.5伏特。此外，8Gb DDR4晶片可使用直通矽晶穿孔(TSV)技術，製成128 GB的企業伺服器模組。
三星3月推出個人電腦用的20奈米DRAM，9月發表20奈米的行動DRAM，如今再進一步豐富20奈米記憶體產線。
SK海力士(SK Hynix)也在21日發佈全球最大容量的16GB DDR4 NVDIMM非揮發性記憶體。新品使用20奈米4Gb DDR4製成，處理速度達2133Mbps。NVDIMM結合DRAM和NAND Flash，意外停電或當機仍能時保存、回復資料，不怕數據突然消失。該公司預定明年上半量產新品。
韓媒etnews 21日報導，消息人士透露，由於記憶體晶片(DRAM、NAND Flash)行銷市況優於系統半導體，三星電子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)都瞄準此一領域，拓展獲利。兩家公司都把重點放在增加生產效率、確保微縮製程；而非發展半導體設計，因應台積電(2454)等晶圓代工廠的威脅。
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