精實新聞 2012-05-28 16:59:13 記者 王彤勻 報導
日本微控制器（MCU）大廠瑞薩與台積電（2330）今（28）日共同宣佈，雙方已簽署協議，擴大在微控制器技術方面的合作至40奈米嵌入式快閃記憶體(eFlash)製程，以生產應用於下一世代汽車及家電等消費性產品的微控制器。
瑞薩和台積電合作行之有年，先前瑞薩已委請台積電代工90奈米嵌入式快閃記憶體製程，為該公司生產微控制器，而在此40奈米微控制器新合作案中，瑞薩則將委託台積電生產40奈米及更先進製程的微控制器。
瑞薩表示，與台積電將攜手合作，結合瑞薩支援高可靠性及高速優勢的金屬氧化氮氧化矽（Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon, MONOS）技術，與台積電高品質技術的支援，包括先進的互補金屬氧化物半導體（CMOS）製程與靈活的產能調度，在MCU平台與製造所需的先進技術上取得領先地位。
此外，瑞薩也強調，藉由將此MONOS製程平台提供給全球其他半導體供應商，包括無晶圓廠（Fabless）公司及整合元件製造商（IDM），瑞薩與台積電也將致力於建置一個更完整的設計生態環境，並進一步擴大客戶群。
瑞薩資深副總岩元伸一表示，為達到全球業務持續成長的目標，瑞薩有信心台積電能夠提供瑞薩產品迅速量產的優勢，並給予最大的彈性，因應市場劇烈波動時的需求。他也強調，瑞薩本於去年歷經日本大地震衝擊多條生產線與客戶業務之後所學習到的經驗，已經加快晶圓廠網路（Fab Network）的佈建。而藉由此次與台積電的合作，瑞薩將建造一個能夠為客戶穩定供貨的架構。
台積電全球業務暨行銷資深副總經理陳俊聖則表示，瑞薩是微控制器市場的領導廠商之一，這次的合作將協助提供瑞薩新產品推出時所需的效能，滿足其客戶對品質及可靠性的期待。
台積電表示，基於雙方長久以來穩固的合作關係，公司提供瑞薩具有成本效益且非常可靠的製程能力，將快閃記憶體整合於單一微控制器上。相較於目前的90奈米製程，採用40奈米製程生產的微控制器產品具備更高速、更低功耗的優勢，而且晶片尺寸縮小逾50%，這些特性對於整合型微控制器的設計格外重要，該設計將邏輯晶片、記憶體、及其他系統零組件壓縮至極小的面積上。
