MoneyDJ新聞 2026-09-08 15:48:07 王怡茹 發佈
台積電(2330)與半導體設備龍頭艾司摩爾(ASML)宣布啟動產業合作，共同推動High NA EUV光罩由現行6吋升級至12吋，目標2031年前建立12吋光罩試產線(Pilot Line)，並於2033年前完成微影系統全面就緒，以支援先進製程量產。
台積電有意自2030年起，在先進製程量產導入ASML High NA技術，隨製程持續微縮、AI晶片電晶體架構日趨複雜，預期採用High NA EUV曝光的光罩層數也將逐步增加。
台積電與ASML於美國加州蒙特雷舉行的BACUS國際光學工程學會(SPIE)先進微影技術研討會前，雙方宣布上述合作。雙方此次將產業鏈合作範圍進一步延伸至大尺寸光罩，同時High NA EUV採用廠商、光罩業者及其他主要供應商也表達參與意願。
相較目前High NA EUV沿用的6吋光罩，12吋光罩可進一步提升晶圓廠生產力，並降低晶片製造成本。更重要的是，由於High NA EUV採用半視場(Half Field)曝光，現行6吋光罩在部分應用下，需要透過兩張光罩進行曝光拼接；改採12吋光罩後，可望解除相關限制，進一步發揮High NA EUV在先進製程的效益。
ASML總裁暨執行長Christophe Fouquet表示，隨元件微縮藍圖持續推進，預期High NA EUV採用率將逐步見提升，初期將沿用現有6吋光罩，後續再導入12吋光罩，以進一步提高設備生產力，滿足市場對更小、更快及更節能晶片的需求。
台積電董事長暨總裁魏哲家表示，半導體產業面臨的技術複雜度持續提高，必須透過產業共同合作解決問題；藉由整合產業價值鏈的專業能力，持續降低先進技術導入門檻，讓新一代解決方案能夠擴大應用。
就時程來看，台積電規劃自2030年起將High NA技術導入先進製程量產，ASML與台積電則將攜手產業鏈於2031年前建立12吋光罩試產線，並以2033年12吋High NA微影系統導入先進製程量產為目標。隨AI帶動先進晶片複雜度提升、High NA EUV技術可讓使用層數增加，大尺寸光罩也將成為下一階段EUV生態系的重要發展方向。
