(巴黎／林挺生)荷蘭的ASM International
NV集團和Philips實驗室成功地研發一種據稱是全球最細的電子晶體管匣絕緣層(transistor gate insulation
layer)。這個成品所使用的架構，可以被應用到70毫微米匣寬(gate
width)的半導體技術製程裡，而取代目前用在CMOS裡的二氧化矽材質絕緣層，目前這種二氧化矽材質絕緣層在70毫微米的節點上無法有效絕緣。
ASM和Philips研發的這個絕緣層是以層層相間(layer-by-layer)的方式，覆以鋯原子、鋁原子和氧分子構成。這個絕緣層的表現，比二氧化矽材質的效能好上1000倍。這個絕緣層厚度只有1.1毫微米，採用的合成技術來自芬蘭的Microchemistry公司，該公司目前屬於ASM集團，全稱為ASM
Microchemistry。Philips實驗室表示，這個新的成果對矽科技來說是很大的突破，它將使得晶片的製程產生重大的突破。
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