MoneyDJ新聞 2024-10-30 16:10:48 記者 新聞中心 報導
HBM產品成為DRAM產業關注焦點,連帶讓hybrid bonding (混合鍵合)等先進封裝技術發展受矚目。根據TrendForce最新研究,三大HBM原廠正在考慮是否於HBM4 16hi採用hybrid bonding,並已確定將在HBM5 20hi世代中使用這項技術。
和已廣泛使用的micro bump(微凸塊)堆疊技術相比,hybrid bonding由於不配置凸塊,可容納較多推疊層數,也能容納較厚的晶粒厚度,以改善翹曲問題。使用hybrid bonding的晶片傳輸速度較快,散熱效果也較好。
TrendForce表示,三大原廠已確定將在HBM3e 12hi及HBM4 12hi世代延續使用Advanced MR-MUF及TC-NCF堆疊架構。在HBM4 16hi及HBM4e 16hi世代,因hybrid bonding未較micro bump具明顯優勢,尚無法斷定哪一種技術能受青睞;若原廠決定採用hybrid bonding,主因應是為及早經歷新堆疊技術的學習曲線,確保後續HBM4e和HBM5順利量產。三大業者考量堆疊高度限制、IO密度、散熱等要求,已確定於HBM5 20hi世代使用hybrid bonding。
然而,採用hybrid bonding須面對多項挑戰,如原廠投資新設備導入新的堆疊技術,將排擠對micro bump的需求,亦不再享有原本累積的技術優勢;hybrid bonding尚有微粒控制等技術問題待克服,將墊高單位投資金額。此外,由於hybrid bonding須以wafer to wafer模式堆疊,若front end生產良率過低,整體生產良率將不具經濟效益。
TrendForce指出,採用hybrid bonding可能導致HBM的商業模式出現變化。使用wafer to wafer模式堆疊,須確保HBM base die與memory die的晶粒尺寸完全一致;而前者的設計是由GPU/ASIC業者主導,因此同時提供base die及GPU/ASIC foundry服務的台積電(2330)可能將擔負base die與memory die堆疊重任。若循此模式發展,預料將衝擊HBM業者在base die設計、base die與memory die堆疊,以及整體HBM接單等商業環節的產業地位。
(圖片來源:TrendForce)