SEMI:3D IC成重要技術 製程標準須與國際接軌

2012/05/29 17:11

精實新聞 2012-05-29 17:11:18 記者 羅毓嘉 報導

SEMI(半導體設備與材料產業協會)指出,3D IC由於整合度高、體積小、成本和功耗低等優勢,已成現今半導體產業不可或缺的重要發展技術。SEMI台灣集結多家相關業者,積極參與國際產業技術標準的制訂,持續討論和研擬制訂不同生產階段中所需的標準,透過專利權的建置、掌握國際標準脈動,才是讓台灣廠商持續創造競爭優勢,以應產業萬變的最佳策略。

日前,在SEMI和工研院共同主辦、先進堆疊系統與應用研發聯盟(Ad-STAC)協辦的「SEMI國際技術標準制訂與全球3D IC 技術標準研討會」中,半導體製造聯盟(SEMATECH) 3D Enablement Center的Richard A. Allen,以及SEMI資深協理James Amano,分享了數項SEMI國際技術標準最新發展、成功案例,以及國際上3D IC技術標準之佈局。

工研院量測中心副主任林增耀在會中表示,世界經濟局勢變動劇烈,唯有擁有專利、掌握國際標準脈動,才是創造競爭優勢以應萬變的最佳策略,參與國際產業技術標準的制訂,更成為台灣企業佈局國際市場的重要攻防戰。

半導體製造聯盟(SEMATECH)3D Enablement Center的Richard A. Allen於會中表示,3D IC具備整合度高、體積小、成本和功耗低等優勢,已成現今產業不可或缺的重要發展技術,而隨著3D IC技術受到重視,如何建立立體堆疊整合最常用的矽穿孔(TSV)技術標準也備受矚目。

SEMI產業標準與技術專案資深經理張嘉倫指出,SEMI在台灣致力於推動3D IC標準制訂,已集結包括台積電(2330)、聯電(2303)、日月光(2311)、矽品(2325)、晶電(2448)、聯發科(2454)、漢民科技等半導體大廠參與討論不同生產階段中所需的標準,相關技術領域範圍涵蓋矽穿孔(TSV)、接合和薄化製程、測試檢驗和量測、設備和材料標準的研擬和制訂。

SEMI指出,由於3D IC設計複雜度遠高於傳統晶片,技術及成本挑戰接踵而來,SEMI以製造業需求為導向,所制訂出的3D IC產業技術標準,對提升產能、降低製造成本、縮短產品上市所需時間,以確保全球各地在設備與製程的相容性,而這也是牽連到台灣企業佈局國際市場的重要攻防戰。

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