MoneyDJ新聞 2026-04-24 09:13:34 新聞中心 發佈
NEO Semiconductor宣布，其新一代記憶體技術3D X-DRAM已完成概念驗證(Proof of Concept, POC)，在3D記憶體發展上取得重要進展，為邁向新世代高容量記憶體解決方案的重要里程碑，亦有望強化台灣在全球記憶體產業供應鏈中的角色與影響力。
NEO表示，3D X-DRAM採用記憶體單元垂直整合架構，突破傳統記憶體容量擴展限制。該技術可望應用於高頻寬記憶體(HBM)、DDR，以及人工智慧(AI)與高效能運算(HPC)等領域。相較於現行HBM需逐層堆疊DRAM晶片的方式，NEO的創新做法如同「千層糕」，更接近「一體成形」的3D結構，有助於提升整合效率並優化成本。另已獲得由宏碁創辦人施振榮領軍的策略性投資，將用於後續技術研發與產品化推進。
施振榮表示：「很高興矽谷華人在此領域的創新技術有所突破，在NEO與陽明交大(NYCU)產學創新研究學院(IAIS)及國家實驗研究院台灣半導體研究中心(NIAR-TSRI)攜手合作下，期待借重台灣的半導體產業的基礎與實力，把這項創新技術商品化，將台灣在記憶體產業的設計能力缺口給補起來，讓台灣在記憶體產業也能對全世界有更大的影響力。」
陽明交大資深副校長暨產學創新研究學院(IAIS)院長、台積電前技術長孫元成表示：「此次合作成果展現產學合作的價值，並成功驗證NEO的新型記憶體架構在實際製程條件下的可行性，對推動下一世代記憶體技術具有重要意義，同時也凸顯台灣在半導體研發與驗證上的整合優勢。IAIS 將持續透過「產學共創」機制，推動台灣在創新技術與人才培育的長期發展。」
NEO指出，本輪資金已成功支持POC開發，未來將持續推進多層記憶體架構優化，以及與國際記憶體廠商的合作拓展。目前公司已與多家半導體廠商展開交流，推動3D DRAM技術朝實際產業應用邁進。
本次測試晶片由NEO與陽明交大產學創新研究學院共同開發，並於國家實驗研究院台灣半導體研究中心完成製作與測試。NEO表示，元件已完成電性與可靠度驗證，關鍵性能指標達DRAM等級，並展現邁向量產的潛力。
NEO創辦人暨執行長許富菖表示：「傳統DRAM正面臨電容微縮極限與容量需求攀升的雙重挑戰，而3D X-DRAM採用無電容架構，結合成熟的3D NAND製程，提供高容量且可擴展的3D垂直堆疊解決方案。」
許富菖並指出，測試晶片已驗證可透過既有3D NAND製程製造，採用成熟設備與低成本多晶矽材料。在POC測試中，該技術展現小於10奈秒的讀寫延遲，並在85度C操作條件下擁有超過1秒的資料保持能力。隨著3D NAND已實現超過300層堆疊，沿用成熟製程有助於加速3D DRAM的實現。
3D X-DRAM的概念驗證，不僅展現創新記憶體架構的潛力，也驗證以成熟製程實現先進記憶體技術的可行性。隨著AI與高效能運算需求快速成長，記憶體容量與頻寬已成為系統效能的關鍵瓶頸，NEO強調，3D X-DRAM有潛力成為下一世代AI記憶體的關鍵技術。
(圖片來源：NEO Semiconductor)
