精實新聞 2010-09-08 18:09:39 記者 羅毓嘉 報導
砷化鎵磊晶廠全新(2455)發展出BiHEMT（異質接面雙載子暨假晶高速電子移動電晶體）技術，成功整合pHEMT與HBT兩種砷化鎵元件，突破了砷化鎵晶圓隨不同應用領域須以不同製程生產的限制；全新將HBT與pHEMT搭載於單一晶片的技術，獲得99年經濟部技術處產業創新成果表揚。
以物理性質差異來分，砷化鎵晶體可略分為異質接面雙載子電晶體（HBT）與假晶高電子移動率電晶體（pHEMT）兩種。雖然砷化鎵晶圓有低雜訊、抗天然輻射、能源使用率佳、能階帶可調整、電子移動速度快等優點，而發展為近年無線通訊、光纖通訊及光顯示的關鍵組件，但也因為兩類晶圓在製程與應用端的差異遲遲無法整合，而頗遭詬病。
全新採用矽基BiCMOS的概念，成功整合HBT與pHEMT元件；未來，採用不同砷化鎵晶圓製程的微波開關、功率放大器(PA)、偏壓電路與邏輯電路，將能搭載在單一晶片上，不但縮小了砷化鎵元件模組的尺寸，提昇砷化鎵電路設計的彈性，同時也將降低砷化鎵晶圓相關的材料與封裝成本。
全新指出，BiHEMT磊晶結構雖然較為複雜，但由於結合了pHEMT與HBT二者的優點且體積更小，在未來應用於3GPP長期演進技術(Long Term Evolution) 與WiMax的電子產品時將更具優勢。
全新表示，目前已有2家客戶採用BiHEMT晶圓設計新產品；雖然BiHEMT貢獻公司營收的比重還不明顯，客戶端的製程良率也還有改善空間，但全新強調，公司在BiHEMT開發上領先同業，由於砷化鎵產業的寡佔性質，在BiHEMT成為市場技術的主流後，全新可望取得規格制定(Design-in)的優勢，成為產業競爭結構重新洗牌後的獲益者。
在全新目前的營收比重上，HBT營收約佔80%，pHEMT約佔15%-20%，產品主要應用領域為無線通訊元件，如手機與無線網路之功率放大器（PA）等。全新前2大客戶合計貢獻營收便將近9成，出貨對象相當集中。
今年2月，TriQuint曾發表報告指出，全新BiHEMT晶圓技術的發展，在相同功能的需求條件下，有效減少了模組搭載的晶片數量，節省模組所佔空間，並且簡化了模組封裝的過程。同時，TriQuint也在報告中揭露，由於BiHEMT晶片在功能上容許設計者更靈活的表現，今年市場上已至少有12種新款智慧型手機搭載了BiHEMT的晶片模組。
