MoneyDJ新聞 2016-07-11 14:32:27 記者 陳苓 報導
DRAM發展快到盡頭，磁性記憶體(MRAM)和相變記憶體(PRAM)是最有潛力的接班人？IBM和三星電子最近宣稱，「自旋傳輸磁性記憶體(STT-MRAM)」的研究出現突破，有望加速走上商用之途。
韓媒BusinessKorea 11日報導，IBM和三星在電機電子工程師學會(IEEE) 發布研究論文宣稱，兩家公司攜手研發的STT-MRAM的生產技術，成功實現10奈秒(nanosecond)的傳輸速度和超省電架構，理論上表現超越DRAM。
STT-MRAM藉著改變薄膜內的電子旋轉方向、控制電流，表現效能和價格競爭力都優於DRAM。最重要的是，DRAM很難微縮至10奈米以下，STT-MRAM則沒有此一困擾。業界人士表示，STT-MRAM是次世代記憶體中最實際的替代方案，95%的現行DRAM生產設備皆可用於製造STT-MRAM。IBM和三星之外，SK海力士(SK Hynix)和東芝(Toshiba)也協力研發此一技術。
除了STT-MRAM，近來相變記憶體(PRAM)也備受矚目，英特爾的3D Xpoint就包含PRAM技術。PRMA結合DRAM和NAND Flash優點，速度和耐用性提高1千倍，不過目前仍在理論階段。
去年7月29日英特爾、美光宣布開發出新世代記憶體技術「3D Xpoint」，儲存的資料比DRAM高出十倍，讀寫速度與耐受度更是NAND型快閃記憶體的1千倍之多，如此革新的技術讓三星電子、SK Hynix大為緊張。3D XPoint類似次世代ReRAM或PRAM科技，能完全改變資料儲存的方式，半導體專家相信，自從東芝在1987年首次展示NAND型快閃記憶體之後，3D XPoint會是這30年間一個相當重要的變革。
韓媒BusinessKorea去年6月報導，南韓半導體業者指出，16奈米將是DRAM微縮製程的最後極限，10 奈米以下製程需要縮小電晶體體積，但是薄膜厚度卻無法縮減，也可能不適合採用高介電常數（High-K）材料和電極。MRAM和ReRAM因此備受期待，認為可以取代DRAM和NAND Flash，業者正全力研發。
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