精實新聞 2014-01-14 15:56:07 記者 王彤勻 報導
聯電(2303)與ARM今(14日)共同宣佈，雙方將進一步擴展於28奈米的矽智財合作，將在聯電28奈米高效能低功耗(HLP)製程上，提供ARM Artisan實體IP平台與POP IP核心硬化加速技術。
聯電表示，此舉主要是為支援諸如智慧型手機、平板電腦、無線通訊與數位家庭等各種不同的消費電子客戶，因此與ARM簽署了此份協議，將提供先進製程以及完整的實體IP平台。
聯電負責矽智財與設計支援的簡山傑副總表示，聯電秉持著「United for Excellence」的追求卓越精神，與矽智財供應商密切合作，提供優質設計支援解決方案給客戶。
他強調，聯電28奈米的雙製程技術藍圖，同時包含了Poly SiON與HKMG技術，就功耗、效能與面積而言，28HLP製程可說是業界最具競爭力的28奈米Poly SiON技術，及完善的設計平台，並可協助聯電行動與通訊產品客戶加速產品上市時程。而聯電與ARM擴大合作範疇，納入高度普及的ARM POP IP核心硬化加速技術，將可進一步地強化公司的28HLP平台競爭力。
ARM Cortex-A7處理器現已廣獲智慧型手機、平板電腦、數位電視與其他消費電子產品所採用，而結合POP IP所優化的Cortex-A7處理器，在聯電28HLP製程平台的目標效能則可達1.2GHz，並已於2013年12月推出。
聯電強調，其28HLP製程係優化的28奈米Poly-SiON技術，可提供面積，速度與漏電流之間最佳的平衡。因而此製程成為像是可攜式、無線區域網路、消費性手持產品等，各種需兼顧低功耗與高效能應用產品的理想選擇。聯電指出，此28HLP製程目前已在客戶產品試產階段，預計於2014年初開始量產。
ARM執行副總兼實體設計部門總經理Dipesh Patel則表示，透過與聯電的緊密合作，ARM實體IP與POP IP將可促進最佳化的系統單晶片實作，並簡化設計流程，使得雙方客戶能夠快速地推出晶片產品上市。他並強調，ARM的標準元件、次世代記憶體編譯器及POP IP，可完全滿足聯電客戶對於功能、品質、與晶片驗證上的嚴格要求，同時也將延續ARM在提供晶圓專工領導者最佳實體IP平台上的承諾。
