MoneyDJ新聞 2017-02-02 07:08:47 記者 蔡承啟 報導
Panasonic 1日發布新聞稿宣布，旗下半導體子公司Panasonic Semiconductor Solutions Co., Ltd.(以下簡稱PSSC)將和台灣聯電(UMC、2303)攜手研發「可變電阻式記憶體(ReRAM)」的次世代(40nm)量產製程。
ReRAM和現行已廣為普及的快閃記憶體(Flash Memory)一樣、是非揮發性記憶體的一種，其特色就是結構簡單、處理速度快以及低耗電力，而PSSC已於2013年量產採用180nm製程技術的ReRAM產品。
Panasonic指出，此次的合作將融合PSSC研發的40nm ReRAM製程技術和聯電高可靠度CMOS製程技術，而PSSC將在2018年進行40nm ReRAM的樣品出貨。
據日經新聞報導，Panasonic上述採用40nm製程技術的ReRAM產品將在2019年進行量產，其中Panasonic負責設計、回路形成等製造技術將由雙方攜手研發，量產工作將委由聯電負責，且Panasonic計畫早期將該40nm ReRAM年營收提高至50億日圓左右的水準。
據報導，和現行主流的記憶體相比，ReRAM耗電力可縮減至1/7，而Panasonic目標是藉由ReRAM取代三星/東芝所量產的NAND型快閃記憶體部分市場。
根據嘉實XQ全球贏家系統報價，Panasonic 1日上揚0.51%、收1.185日圓。
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