精實新聞 2014-04-18 09:49:54 記者 萬惠雯 報導
IEEE International Memory Workshop (IMW) 國際記憶體研討會將於5月舉辦，旺宏(2337)除了每年在記憶體研發領域發表多篇論文並入選外，今年也協辦IEEE的台灣研討會，會中將討論近年來記憶體領域最關注的先進技術如3D NAND、PCRAM、MRAM、ReRAM等，並邀請美光、SanDisk、海力士等全球記憶體大廠與會。
傳統記憶體的應用範圍包括電腦中的RAM、行動通訊的NOR Flash或固態硬碟SSD的NAND Flash等，但隨著雲端市場以及海量數據時代的興起，記憶體技術的層面逐漸轉進運用控制器強化以及智慧管理，造就記憶體另一波的需求潮，相對的也使得記憶體技術開發面臨更高的挑戰。
另外，在此新需求趨勢下，記憶體的密度、效能、功耗、封裝及介面等性能，將再度被檢視，而新的製程技術、運算機制以及新材料將一併被考慮並引入。
IMW平均每年有逾80篇以上的投稿論文，約35篇會在會議中以口頭方式發表，論文主題涵蓋元件物理、矽製程、產品測試和新技術。新技術包括新結構、新方法、程式邏輯、記憶體單元設計、積體電路、固態硬碟、記憶卡、可靠度和新應用等等。與會人士主要來自北美、歐洲、日本及亞洲等國家的高階經理人、研究學者或記憶體產品終端使用者，近年來與會人數已達到250人之規模。
旺宏則對於研究發展的投入不縮手，近幾年來，每年的研發資出金額逐年向上，以2013年來說，旺宏去年研發費用達54億元，研發占營收比重為24%的水準。
