精實新聞 2013-12-04 08:35:15 記者 蔡承啟 報導
日經新聞4日報導，Canon子公司Canon Anelva已研發出次世代記憶體「磁電阻式隨機存取記憶體(Magnetoresistive Random Access Memory；MRAM)」的量產設備，其產能達現行研發用機種的5倍。報導指出，Canon Anelva將在2014年利用山梨縣內的據點生產MRAM量產設備、並將在2014年6月底前開賣，目標為在4年內賣出100台以上。
據報導，Canon Anelva在MRAM研發用製造設備市場上握有高達90%的市佔率，而Canon Anelva期望藉由早一步推出量產用設備，來鞏固市場領先地位。
MRAM為一種低耗電力且寫入速度極快的非揮發性記憶體，且即便切斷電源資料也不會消失；和現行主流記憶體「DRAM」相比，MRAM的記憶容量及寫入速度可大幅提高至10倍，且電子產品的耗電力可縮減至2/3，即在充飽一次電的情況下，可將智慧手機的使用時間自現行的數十小時大幅延長至數百小時。
日經曾在11月24日報導指出，美國記憶體大廠美光科技(Micron Technology Inc.)及全球第3大半導體設備商東京威力科創(Tokyo Electron)等20家以上日美半導體相關企業將攜手研發可大幅提高智慧手機等行動裝置性能的次世代記憶體「MRAM」量產技術，目標為在2016年度確立技術、之後美光並計劃於2018年透過子公司爾必達(Elpida)的廣島工廠進行量產。
