漢磊與世界策略合作 發展SiC八吋晶圓技術/量產

2024/09/10 16:47

MoneyDJ新聞 2024-09-10 16:47:35 記者 萬惠雯 報導

漢磊(3707)董事會今(10)日宣布與世界先進(5347)簽訂策略合作協議,雙方將攜手合作,推動化合物半導體SiC(碳化矽)八吋晶圓的技術研發與生產製造,同時世界先進並策略投資參與漢磊私募普案,投資金額為新台幣 24.8億元,以共同推動具競爭優勢的產品製造服務,建立雙方的長期策略合作關係。

漢磊董事會通過擬辦理私募增資案,由世界先進認購5千萬股,投資24.8億元、取得13%股權。漢磊將於主管機關核准募資登記後,和世界先進展開合作。相關技術初期由漢磊轉移,預計2026下半年開始量產。

漢磊表示,未來將結合雙方的技術優勢和市場資源,漢磊及世界先進將共同進行SiC技術研發、市場推廣,為客戶創造更大的價值;未來雙方亦將評估SiC技術研發及量產進度,進行更進一步的合作。

漢磊表示,此次合作將專注於八吋SiC半導體晶圓製造的技術開發及未來的量產,由於SiC的材料特性可以有效提升能源效率,特別在因應全球暖化的節能減碳趨勢下,其應用將普及到電動化車款(xEV)、AI資料中心、綠能儲能及工控甚至消費性產品等。

(圖片來源:資料庫)

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