精實新聞 2012-10-29 17:19:16 記者 羅毓嘉 報導
電子束檢測設備廠漢微科(3658)財務長李學寒指出，漢微科的檢測設備技術藍圖擘劃明確，除已將檢測解析度推進到3X奈米，並持續往2X奈米演進，料將繼續受惠於晶圓代工製程的縮微趨勢；同時漢微科針對下一個世代的EUV(深紫外光顯影技術)和封測端的TSV(矽鑽孔)技術，也準備要推出相應的檢測設備，讓公司的產品組合持續升級。
漢微科是晶圓缺陷檢測設備的領導廠商，在電子束(E-beam)檢測設備領域的市佔率高達85%，包括台積電(2330)、聯電(2303)、三星(Samsung)、海力士(SK Hynix)、東芝(TOSHIBA)、美光(Micron)等大型半導體廠，都是漢微科的客戶。
李學寒表示，在傳統的晶圓缺陷檢測(wafer defect inspection)領域，光學檢測機台對製程小於45奈米的晶圓實施檢測時，會出現影像模糊、檢測不全的狀況，不過E-beam檢測到3X奈米以上製程都沒有解析度的問題，同時漢微科目前也正在努力將解析度進一步推進到2X奈米，符合所有晶圓代工大廠、DRAM大廠持續製程縮微的趨勢。
據了解，過去全球檢測設備商出貨10台晶圓檢測設備，其中，可能只有1台是電子束檢測設備，其餘則是光學檢測，不過隨著晶圓廠強化28奈米以下製程佈局，電子束檢測佔晶圓檢測設備總出貨比重將持續攀升，未來10台晶圓檢測設備中，可能就會有3台是電子束機台。
李學寒指出，和競爭對手KLA Tencor、Applied Materials等廠商的電子束檢測設備佈局相比，漢微科的E-Beam檢測機台產品數已達8種，KLA則僅有2種，Applied Materials則尚未正式切入E-Beam領域，同時漢微科也以專利權卡住KLA進入「電子束跳躍檢測」的門檻，讓漢微科持續擴大在E-Beam檢測的市佔率。
展望後續製程發展，李學寒表示，晶圓廠持續投入資源建置18吋晶圓產能，對漢微科而言絕對是正面的趨勢，尤其晶圓製程細緻度越高，難度就越高，越是需要E-beam的檢測能量；另一方面，據漢微科評估，1條28奈米晶圓生產線需要有6台E-beam檢測機台，因此只要晶圓廠和DRAM廠持續建置先進產能，漢微科的出貨量就會持續成長。
就長線技術藍圖來看，漢微科也已經準備要跨足EUV晶圓製程、乃至在晶圓後端封裝的TSV製程檢測設備。李學寒指出，包括台積電、ASML、Samsung等大廠積極合作的EUV是非常高難度的晶圓製程，當技術越高，所造成的缺陷(defect)就越多，同時缺陷也會變小，完全須要靠E-beam來檢查，預期2016年EUV就將正式進入市場，成為新的晶圓製造技術，漢微科也將持續受惠此一趨勢。
另一方面，晶圓封測端的2.5D、3D封裝技術，亦會成為漢微科的長線動能，李學寒表示，TSV(矽鑽孔)封裝的可靠度也要靠E-beam檢查，這更是目前檢測設備領域的唯一解決方案，預計技術成熟的時間點將落在2015年前後。
今年前9月，漢微科營收為30.11億元，年增69%，今年上半年漢微科稅後盈餘為6.81億元，年增160.4%，EPS為11.08元。法人估計，漢微科今年全年營收將達40至40.5億元區間，全年EPS亦可望挑戰20元水準；漢微科不評論法人預估數字，僅指出，希望公司營運狀況能「遠勝出大家的預測」。
