精實新聞 2014-02-10 16:42:54 記者 羅毓嘉 報導
非揮發性記憶體IP服務商力旺(3529)宣布，與晶圓代工廠世界先進(5347)在0.16微米高壓製程合作的嵌入式快閃記憶體NeoFlash矽智財規格，已經成功由原本的消費性電子應用領域推展到工業應用。力旺指出，這項製程技術的突破，將可讓採用力旺IP的晶片製程滿足工業控制元件客戶的需求，目前相關方案已通過可靠度驗證，即日起就可提供世界先進客戶量產使用，並拓寬力旺的產品應用層面。
力旺指出，公司與世界先進原先就在0.16微米高壓製程嵌入式快閃記憶體NeoFlash矽智財領域有所合作，雙方並進一步將相關規格由原先的消費性電子應用範圍，強化至工業等級，大幅提升資料在嚴苛的工業環境留存能力，可支援對高溫操作環境有嚴格要求的客戶所需，使產品應用範圍自消費性電子擴大至高階工業規格領域，如工業機具、製造設備與醫療器材等。
力旺提供的0.16微米高壓製程嵌入式快閃記憶體NeoFlash矽智財規格，已經成功增強至125℃／10年，讀取速度高達40ns(奈秒)，更適用於對環境要求與性能表現更為嚴苛的工業產品，如ARM Cortex-M0微控制器等需求，可協助客戶自消費性電子市場跨越至工業規格範疇，進階擴展應用產品版圖。
力旺強調，這項合作是NeoFlash繼應用於觸控晶片、電池容量偵測晶片之後，相當重要的一項製程突破，目前此解決方案已成功通過可靠度驗證，即日起可供該公司客戶量產使用。
力旺說明，NeoFlash矽智財因與邏輯製程完全相容，與高壓製程整合性高，僅需外加2道光罩，即可於高壓製程平台實現儲存功能，與其它嵌入式快閃記憶體至少需外加7至9道光罩相比，可大幅減輕晶圓製造成本；另外，若客戶在成本和功能的平衡上需要更多元化的解決方案，亦可選搭力旺電子特有的混合式嵌入式非揮發性記憶體解決方案，突顯產品差異化優勢，推出定位更精準的產品。
力旺電子總經理沈士傑指出，力旺與世界成功完成0.16微米NeoFlash的產品驗證，為雙方合作締造重要里程碑，未來力旺也將與世界先進保持密切合作，以滿足客戶對專業化嵌入式非揮發性記憶體技術平台的期待。
力旺過去產品IP滲透範圍以行動應用晶片為主，去年Q4行動應用晶片需求強強滾，帶動力旺今年1月認列大筆權利金收入，單月營收衝上1.69億元水準，刷新歷史新高，年增幅度更高達47.5%。力旺指出，公司今年除將持續在非揮發性記憶體IP領域開疆闢土，更已針對28奈米、20奈米與16奈米等先進製程拓展技術平台涵蓋範圍，為今年營收動能添加薪火。
