美光傳HBM產能年底拚翻倍 專家:需求幾無止境

2026/09/07 08:43

MoneyDJ新聞 2026-09-07 08:43:19 郭妍希 發佈

韓媒傳出,記憶體大廠美光(Micron Technology, Inc.)計畫在今(2026)年底前將高頻寬記憶體(HBM)產能提高一倍,消息傳來激勵美光股價跳高。

MarketWatch 4日引述南韓科技新聞網站Electronic Times報導,美光據傳正在投入資金擴產HBM,想要追上南韓SK海力士(SK Hynix)與三星電子(Samsung Electronics)的產能,以提升12層堆疊HBM4的供應能力。

HBM4是最新一代HBM,將搭配輝達(Nvidia) Rubin繪圖處理器(GPU)等晶片使用。HBM是透過堆疊DRAM晶片製成。

J.Gold Associates首席分析師Jack Gold表示,美光等記憶體晶片製造商多年來一直「困在成本相對較低的大宗商品型記憶體製造業務」。如今,市場對HBM這類高階產品的需求「近乎無止境」(insatiable),「這為供應商帶來大賺一筆的機會,因為其利潤率相當高。」

根據Electronic Times報導,美光去年HBM產量為每月4萬至5萬片晶圓。依該媒體估算,若美光按照據傳計畫,每月再增加6萬片晶圓產能,今年底前HBM月產量可能達到約10萬片晶圓。

與此同時,AI帶動的需求造成DRAM及其他類型記憶體與儲存產品嚴重短缺,並擠壓消費性電子等其他市場領域的供應。Gold表示,儘管美光、SK海力士與三星均已宣布擴產計畫,但整個過程仍需耗時數年,這促使業者將現有產能從成本較低的記憶體轉向HBM,進一步加劇供應吃緊的情況。

Gold表示,「傳統上,記憶體短缺不會永遠持續,而記憶體業者希望趁著週期再度轉向供過於求之前,盡可能把握目前的有利局面。」

D.A. Davidson董事總經理Gil Luria則表示,需求「目前已超過現有供給的兩倍,而且仍在快速成長」。因此,即使美光提高HBM產能,「在這段期間內,產能可能仍不足以滿足需求」。

美光4日終場大漲6.1%、收1,016.59美元,創7月1日以來收盤新高;年初迄今漲幅已高達256.19%。

其他記憶體、存儲類股同步勁揚。快閃記憶體模組供應商Sandisk Corp.、SK海力士ADR、硬碟大廠威騰電子(Western Digital)與希捷(Seagate Technology)、NAND型快閃記憶體控制晶片設計大廠慧榮科技(Silicon Motion Technology Corp.)分別大漲11.9%、8.14%、5.86%、6.34%、8.70%。

(圖片來源:shutterstock)

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