MoneyDJ新聞 2026-08-06 17:05:18 周佩宇 發佈
記憶體廠華邦電(2344)攻AI先進封裝所需矽電容（Si-Cap）市場，公司表示，目前最新樣品單位面積電容值已達5,400nF，規格領先同業，既有投資產能也已快速售罄。隨AI晶片功耗提高、封裝空間縮小，矽電容在AI Power、CoWoS及其他高密度封裝中的需求可望持續成長。
華邦電表示，矽電容業務主要採Foundry服務模式，由公司提供基本電容單元及製程設計套件，再由客戶依晶片與封裝需求自行設計產品。由於AI晶片封裝空間有限，能否在相同面積內提供更高電容值，已成為產品競爭關鍵。
目前華邦電量產產品每平方毫米電容值約3,300nF，最新樣品則提升至5,400nF；公司指出，台積電(2330)相關規格約2,500nF，其他同業約1,500nF，華邦電在單位面積電容密度上已有所領先。
華邦電指出，現有矽電容需求主要來自AI及AI Power應用，部分原本生產積層陶瓷電容（MLCC）的業者也已開始切入，目前已有數家成為公司客戶。但相較於MLCC，矽電容具有薄型化、溫度穩定及精準度較高等優勢，較適合空間有限的AI晶片與先進封裝。隨AI晶片工作電壓降低，穩定供電與降低電壓降的重要性提高，也帶動矽電容需求升溫。
公司指出，矽電容除可應用於CoWoS，也可配置於EMIB、封裝基板及其他次世代封裝架構。隨封裝朝小型化、高密度發展，離散式矽電容的應用空間可望進一步擴大。
華邦電先前已投入約40億元擴充矽電容專用產線，相關產能很快即被客戶訂滿，目前正尋找進一步擴產空間。公司強調，矽電容產線與DRAM產能分開規畫，不會排擠既有DRAM生產。由於矽電容製程僅需製作電容結構，生產週期約30天，明顯短於DRAM的約170天。雖然單片產品價格及毛利不及DRAM，但生產週轉速度較快，可提高產線利用效率。
華邦電表示，矽電容原先只是發展CoWoS相關業務時延伸出的產品，但隨AI Power及先進封裝需求升溫，已逐步形成獨立市場。目前公司矽電容出貨量已位居全球前段，未來有機會成為2027年以後的新成長動能。
(圖:資料庫；附圖為總經理陳沛銘)
