精實新聞 2012-10-31 17:22:10 記者 王彤勻 報導
聯電(2303)今(31日)召開法說會，針對外界關注的28奈米等先進製程狀況，聯電執行長孫世偉表示，聯電的第一個28奈米HKMG(高介電金屬閘極)製程tape-out已在Q3完成，而關於28奈米HKMG製程的量產時間點，他則粗估是在2014年初。
孫世偉強調，28奈米進度符合公司預期，聯電於Q3也成功tape-out第一個使用28奈米HKMG製程的行動通訊產品。此外，他也指出，在IBM FinFET技術授權的基礎上，聯電亦積極投入14奈米FinFET (+ 20奈米metal) 製程技術的開發，14nm FinFET 將提供最佳的低功耗及高效能表現，並降低因為使用雙重曝光（double patterning）微影技術所帶來的成本衝擊。
孫世偉表示，若根據摩爾定律，從一個製程到下一個世代製程的轉移，效能(performance)應要有25%的提升，而每單位電晶體的成本(transistor unit cost)也必須減少25%才符合效益。不過目前從28奈米到20奈米的製程轉移已經遇到摩爾定律不太適用的問題，即效能僅能提升15%左右，但雙重曝光技術卻又非常昂貴。也因此聯電致力於發展FinFET技術，可提供35-40%的效能提升，來緩和雙重曝光技術成本高昂的衝擊。
惟關於聯電先前提出，今年底前28奈米製程佔整體營收比重5%的目標可否順利達陣？孫世偉則是沒有正面回應，僅表示Q3已經開始認列收入，不過營收貢獻仍甚輕微，而直至12月28奈米才會有比較集中的出貨，因此仍難以預估年底前的營收佔比。
關於先進製程良率部分，財務長劉啟東坦言，目前28奈米製程的毛利率還在聯電產品的平均毛利率之下，不過良率已經持續在提升；而孫世偉則強調，目前身為公司主力製程的40奈米製程，毛利率並沒有低於平均值的問題。
聯電今年資本支出仍維持在20億美元，並未更動。
