MoneyDJ新聞 2023-04-18 07:32:58 記者 蔡承啟 報導
電動車(EV)需求加持，帶動碳化矽(SiC)功率半導體需求衝、2035年市場規模預估將狂飆30倍。
日本市調機構富士經濟(Fuji Keizai)公布調查報告指出，因EV等車輛電動化需求、加上太陽能發電等再生能源普及，帶動2023年全球功率半導體市場規模(包含矽製產品和碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鎵等次世代功率半導體)預估將年增12.5%至3兆186億日圓，且之後市場規模將持續擴大，預估2035年將擴增至13兆4,302億日圓、將較2022年暴增4倍(飆增約400%)。
其中，2023年矽製功率半導體市場規模預估將年增11.0%至2兆7,833億日圓，2035年預估將擴大至7兆9,817億日圓、將較2022年增加2.2倍；2023年SiC等次世代功率半導體市場規模預估將年增34.5%至2,354億日圓，之後市場規模將呈現急速擴大，預估2035年將達5兆4,485億日圓、將較2022年狂飆30.1倍。
就次世代功率半導體的細項來看，因以中國、歐洲為中心加速採用，帶動2023年SiC功率半導體市場規模(包含SiC-SBD、SiC-FET、SiC功率模組)預估將年增34.3%至2,293億日圓，之後隨著車輛電動化、再生能源普及，帶動市場有望呈現急速增長，2035年預估將擴大至5兆3,300億日圓、將較2022年狂飆30.2倍；2023年GaN功率半導體市場規模預估將年增32.6%至57億日圓，2035年預估將擴大至740億日圓、將較2022年暴增16.2倍；2023年氧化鎵功率半導體市場規模預估為4億日圓、2030年有望擴大至445億日圓。
三菱電機蓋新廠、增產SiC功率半導體
三菱電機3月14日宣布，將增產SiC功率半導體，主因EV用需求旺、帶動市場預估將呈現急速成長。三菱電機將投資約1,000億日圓，在熊本縣菊池市的現有工廠廠區內興建新廠房，該座新廠將導入8吋SiC晶圓產線、預計2026年4月啟用生產，三菱電機並將擴增位於熊本縣合志市的工廠的6吋晶圓產能。
日媒指出，藉由上述增產投資，2026年度時、三菱電機SiC晶圓產能將擴增至2022年度的約5倍水準。
根據法國調查公司Yole指出，2021年三菱電機SiC功率半導體全球市佔率排第6，在日廠中、僅次於位居第4位的Rohm。富士電機、東芝也擠進全球前10大之列，龍頭廠為瑞士STMicroelectronics。
(圖片來源：三菱電機官網)
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