DENSO傳研發次世代半導體材料SiC晶圓 2年後量產

2012/08/23 13:42

精實新聞 2012-08-23 13:42:02 記者 蔡承啟 報導

日經新聞23日報導,全球汽車零組件巨擘DENSO已攜手昭和電工、日本新能源暨產業技術總合開發機構(NEDO)共同研發出環保車高性能晶片用次世代半導體材料「碳化矽(SiC)晶圓」。報導指出,和現行矽晶圓相比,SiC晶圓結晶困難、容易混入不純物,惟DENSO已藉由自家製法,研發出可將不純物大幅減少的技術,之後並計劃於2年後將不良率降至5%以下,以導入量產。

據報導,DENSO所研發的產品為6吋SiC晶圓,而採用該晶圓的電源控制晶片除可應用於環保車外,也可應用於鐵道、智能電網(smart grid)等廣泛用途。據報導,DENSO預估,2025年採用SiC晶圓的電源控制晶片市場規模將達2,000億日圓以上,為現行的40倍。報導指出,目前已成功研發出6吋SiC晶圓的廠商包括美國Cree和日本新日鐵(Nippon Steel)。

新日鐵於去年12月宣布,已完成尺寸達6吋的碳化矽(SiC)單晶晶圓的研發,並計畫於2013年度進行量產,目標為搶下全球40% SiC晶圓市佔;美國Cree目前握有全球SiC晶圓60-70%市佔。新日鐵表示,6吋SiC晶圓為次世代高性能電源控制晶片能否量產/普及的關鍵材料,和現行使用於二極體、電晶體等半導體元件的矽晶圓相比,SiC晶圓可將電力變換過程中的電力損失量減半,且其耐電壓性和耐熱性也優於矽晶圓。

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