MoneyDJ新聞 2026-10-05 11:24:07 周佩宇 發佈
中國記憶體廠持續加快擴產，長鑫存儲（CXMT）目前DRAM月產能估約32萬片，市場預期2027年進一步增至42萬片，產品也持續往DDR5、LPDDR5等較高階規格推進。不過，業者認為，評估中國新增產能對全球DRAM供需的影響，不能只看晶圓月產能，製程良率、產品組合及實際bit產出才是新增產能能否轉化為有效供給的關鍵；群聯（8299）執行長潘健成近期也表示，雖樂見中國及全球記憶體廠擴產，但以目前需求及供給增加速度來看，供需恢復平衡仍需要多年。
CXMT近年擴產速度加快，除既有合肥、北京產能外，也持續推進新廠建置。市場資料顯示，CXMT目前DRAM月產能約30萬至32萬片，2027年估進一步增加至42萬片；若後續規劃中的新廠陸續加入，長期晶圓產能仍有進一步成長空間。另一方面，CXMT也不再只集中於成熟產品，今年第二季全球DRAM營收市占率已由第一季7.6%升至9.5%，產品則持續增加DDR5、LPDDR5等較新世代產品比重。
不過，晶圓投入量並不能直接等同最終可銷售的記憶體供給。業者指出，CXMT目前產能規模已可與美光相比，但營收約僅美光五分之一，兩者落差除了產品價格及組合不同，良率也是重要因素。尤其晶圓產能持續放大後，要同步維持穩定良率的難度也隨之提高，因此觀察中國DRAM擴產，除了新增多少晶圓產能，更重要的是新增產能最後能轉換成多少有效bit供給。
從DRAM量產來看，熟悉產業人士指出，新製程通常需先將良率提升逾85%，可能是多數業界可量產水準後才會進入量產，且後續仍會持續改善，成熟產品良率甚至可達98%至99%。至於CXMT目前實際良率水準，由於相關資訊並未公開且市場說法難以驗證，尚難直接量化，但良率改善速度仍將決定新增晶圓產能實際形成多少市場供給。
而中國記憶體業者產品布局也已不再只限於中低階市場。產業人士指出，過去市場多認為中國記憶體技術仍在追趕，因此擴產首先衝擊成熟及中低階產品，但目前中國業者同樣投入較高階產品，高、中、低階產品均有布局，因此後續產能增加不一定只對成熟市場形成壓力，不同產品的良率及實際量產能力反而更值得觀察。
從目前市場供需來看，中國擴產短期也尚未扭轉DRAM吃緊格局。TrendForce預期，2027年DRAM需求成長仍將高於供給，供需缺口甚至可能較2026年擴大；除了新廠從設備進駐到實際大量產出需要時間，三星、SK海力士及美光持續將晶圓資源投入HBM，也排擠傳統DRAM供給。另一方面，HBM本身需要較多晶圓投入，因此即使wafer投入增加，也不代表bit供給可以等比例成長。
台股方面，中國DRAM擴產與南亞科（2408）、華邦電（2344）、晶豪科（3006）連動較直接；若後續有效供給明顯增加並影響DRAM價格，下游威剛（3260）、十銓（4967）、創見（2451）、宇瞻（8271）等模組廠的採購成本及庫存評價也將受到影響。
