傳長鑫HBM3E良率僅2-3成,仍計畫啟動量產

2026/10/28 15:26

MoneyDJ新聞 2026-10-28 15:26:04 新聞中心 發佈

綜合港媒及新加坡聯合早報引用路透社報導,據知情人士表示,中國動態隨機存取記憶體(DRAM)龍頭長鑫科技(688825.SH)計畫開始批量生產HBM3E高頻寬記憶體(HBM),儘管目前該產品良率低至約20%。

HBM3E主要與人工智慧(AI)處理器搭配使用。報導指出,此一決定突顯出中國AI記憶體晶片供應嚴重短缺。在美國限制中國獲取外國製造技術之際,這類晶片對於中國大規模開發可替代輝達AI處理器的中國國產晶片至關重要。

知情人士指出,長鑫科技已向多家中國國內AI晶片設計公司提供了HBM3E樣品。其中一位消息人士表示,該公司預計將在未來兩個月內開始小批量生產。消息人士並表示,長鑫HBM3E晶片良率僅約20%到30%,而市場龍頭韓國SK海力士(SK Hynix)的良率則在70%左右。

2024年12月,美國政府收緊了針對銷往中國的某些先進HBM產品的出口管制。知情人士指出,中國晶片製造商越來越多透過非官方渠道採購這種記憶體,而透過這些渠道採購的成本可能高出數倍。消息人士表示,儘管良率較低,長鑫科技仍在推進生產計劃,因中國AI晶片製造商難以獲得足夠的先進記憶體晶片來擴大產量;而低良率會推升生產成本,因為大量晶片必須報廢或返工。

在測試中,長鑫科技的HBM3E性能更接近SK海力士上一代的HBM3。三星電子7月表示,已擴大HBM4的銷售規模,並向主要客戶發出了HBM4E樣品,這意味著長鑫科技在商用HBM生產方面至少落後一代。

另一位知情人士表示,長鑫科技已向客戶送樣兩種版本的HBM3E,一種採用標準設計,另一種則是經過調整、意在提高良率的改進版本。美國科技媒體The Information8月底曾報導,阿里巴巴旗下平頭哥、總部位於北京的寒武紀等多家中國晶片設計公司,正在測試將HBM3E與自家處理器搭配使用;若進展順利,這些公司最早將於明(2027)年在產品中採用這款記憶體。

(圖片來源:shutterstock)

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