精實新聞 2013-10-16 12:52:44 記者 戴詩珊 報導
大陸規模最大晶圓代工企業中芯國際(0981.HK)15日宣佈，其0.13微米低功耗(LL)的嵌入式閃存(eFlash)製程已正式進入量產。該技術是中芯國際NVM非揮發性記憶體平台的延續，為客戶提供了一個高性能、低功耗和低成本的差異化解決方案。
中芯國際市場營銷和銷售執行副總裁麥克瑞庫表示，很高興地看到0.13微米嵌入式閃存技術在觸控IC（TCIC, Touch Controller IC）上的應用已進入量產。據IHS-iSuppli市場調查顯示，觸控IC的全球需求量將從 2012年起實現21%的年複合增長率，2017年將達到約27億個單元。
中芯國際的0.13微米嵌入式閃存技術的優勢，一是強耐度，其具備高達300K週期的優秀的循環擦寫能力，達到業界標準的三倍；二是極具成本效益，其製程創新，使用較少的生產流程步驟；三是低漏電生產製程適合極低功耗的應用並提升性能及可靠性，後段採用銅製程(Cu-BeoL)適合需要高電流密度的應用。
中芯國際的0.13微米低功耗嵌入式閃存技術擁有全面的IP，包括如PLL、ADC、LDO、USB等，同時融合了該技術低功耗、高性能和高可靠性的特點，可適用於具有低功耗需求的廣泛的微控制器(MCU)應用包括行動設備、智慧卡等。此外，中芯國際預期將提供RF、汽車電子、物聯網(IoT)方面的應用。
