精實新聞 2012-07-18 18:00:37 記者 萬惠雯 報導
南科(2408)研發實力持續提升，南科資深副總李培瑛表示，南科已成功開發出國內第1顆TSV矽穿孔技術的4堆疊DDR3 8Gb原型產品(見左圖)，預計在2014年將量產TSV產品；另外，也與美光合作開發4Gb DDR4工程樣品，並已送樣驗證。
另外，針對外界質疑在美光併購Elpida後，美光與南科在先進製程的合作開發計劃是否會有改變，對此李培瑛表示，南科與美光在先進製程合作開發的合約為期10年，自2008年開始到2017年4月結束，故在合約期間內都不會有所改變。
李培瑛表示，為了掌握未來矽穿孔TSV 3D IC技術，南科於2年前開始與工研院合作執行經濟部技術處所補助的「業界科專計劃之3D DRAM矽穿孔電極堆疊技術開發計劃」，已成功開發出國內第1顆TSV堆疊的8Gb DDR3 SDRAM原型產品，此顆產品是以南科獨立開發的Via-middle TSV技術所生產的2Gb DDR3 晶片，堆疊而成1顆8Gb的DDR3 QDP(Quad-Die Package)。
李培瑛表示，憑藉TSV技術可將晶片與晶片間的導線連結從毫米級縮短到50微米左右，南科的首批工程實驗即達成DDR3-1600以上的速度驗證及高良率的量產水準，由於TSV技術在未來行動裝置及高速運算產品上極具潛力，南科將持續推動TSV DRAM產品的開發，目標2014年前具備量產實力。
另外，南科也正式前進DDR4領域，李培瑛表示，南科DDR4記憶體的標準規範已接近JEDEC (電子裝置工程協會)近完成階段之規格制定，南科已於今年第2季送出30nm 4Gb DDR4工程樣品，且已獲得測試回覆，並於第3季送出高階伺服器用記憶體模組RDIMM及LRDIMM進行認證，計劃於2013年進入小量生產。
南科表示，公司的DDR4產品是與美光共同研發之下一世代記憶體，工作電壓可降至1.2V，頻率從1866MHz到3200MHz，符合環保，低功耗，高頻率及高效能需求，且南科將利用所開發的TSV製程技術，把DDR4容量推升至64GB及128GB LRDIMM，瞄準高規格伺服器市場，提供客戶具高附加價值的解決方案。
