南亞科客製化高頻寬記憶體明年貢獻

2026/05/21 10:56

MoneyDJ新聞 2026-05-21 10:56:19 周佩宇 發佈

DRAM廠南亞科(2408)今(21)日召開股東常會,董事長鄒明仁表示,隨AI伺服器、AI PC、AI手機與邊緣運算需求持續升溫,記憶體產業已從過去景氣循環轉向結構性成長。他指出,AI將持續推升高容量、高頻寬DRAM需求,未來獲利關鍵將在於掌握先進製程與高階產品布局。

南亞科去年合併營收665.9億元,年增95.1%,稅後淨利66.1億元,每股盈餘2.13元。主要受惠去年第二季起,國際記憶體大廠陸續調整產能配置,縮減DDR4與LPDDR4供給,並轉向HBM、高容量DDR5與伺服器模組等高階產品,帶動DDR4價格顯著上揚,也使南亞科自去年第三季起整體產銷狀況明顯改善,第四季獲利進一步大幅攀升。

鄒明仁表示,目前AI伺服器架構持續升級,包括HBM、RDIMM、eSSD、NIC與BMC等關鍵元件,皆大幅提高DRAM搭載量,未來將持續推升整體DRAM需求。除雲端AI外,AI應用也逐步延伸至邊緣運算與終端裝置,包括AI PC、AI手機與AI機器人等,都將帶動記憶體容量提升。

他指出,在伺服器領域,AI Server與一般伺服器對HBM與DDR5需求持續擴大,公司自今年第一季起營運已開始成長;智慧手機方面,高階機種與AI手機將推升高容量LPDDR需求;PC市場雖整體出貨可能小幅波動,但低功耗DRAM搭載量仍會提升。

南亞科也表示,目前DRAM市場供應仍偏緊,客戶已開始要求簽訂長期供貨合約。主要原因在於國際大廠持續減少DDR4與LPDDR4產能,並將資源轉向HBM與高容量DDR5/LPDDR5等AI相關產品,使整體市場維持需求大於供給。

產品與技術布局方面,南亞科10奈米級第二代(1B)製程已量產16Gb DDR5、8Gb DDR4與4Gb DDR4產品,後續也將推出16Gb DDR4及8Gb16Gb LPDDR5與LPDDR4產品。此外,公司結合TSV(矽穿孔)技術開發的128GB DDR5 RDIMM 5600/6400 Mb/s伺服器產品,也已完成功能測試。

在下一世代製程方面,南亞科表示,10奈米級第三代(1C)16Gb DDR5預計今年下半年完成驗證,第四代(1D)16Gb DDR5則預計第二季導入試產。公司正與合作夥伴共同開發客製化高效能、低功耗、高頻寬記憶體產品,目前已開始小量產銷,預計2027年上半年可望進一步增加營收貢獻。

資本支出方面,鄒明仁表示,今年因新廠建設、設備與研發投入增加,全年資本支出將超過520億元,並加速5A新廠擴建。公司規劃新廠於2027年第一季開始裝機,下半年正式量產。

南亞科日前也完成私募增資,募得約787億元,公司表示,資金將用於先進記憶體製造與設備投資,同時強化與AI/CSP客戶合作,並擴大eSSD與網通產品布局,進一步鞏固AI價值鏈地位。

針對市場關注是否切入NVIDIA Rubin平台供應鏈,總經理李培瑛表示,Rubin系列產品確實存在,但因涉及客戶營業秘密,不便對個別專案與出貨細節進一步說明。不過他強調,南亞科合作的國際AI客戶不只一家,此次參與私募的四家策略投資人,皆聚焦雲端AI應用,此外仍有許多客戶持續洽談合作機會。

 
個股K線圖-
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