MoneyDJ新聞 2021-12-09 11:02:17 記者 蔡承啟 報導
因應台積電(2330)等半導體大廠增產？ENEOS Holdings旗下JX金屬(JX Nippon Mining & Metals)將蓋新廠、增產半導體用濺鍍靶材(Sputtering Targets、見圖)及軟板用壓延銅箔，目標將濺鍍靶材產能提高80%、壓延銅箔提高25%。
JX金屬8日宣布，為了因應今後需求看旺，決議在茨城縣日立市內興建2座工廠，增產半導體用濺鍍靶材及壓延銅箔，2座工廠的總投資額約300億日圓。濺鍍靶材為先進晶片的細微配線材料、壓延銅箔主要使用於軟板。
JX金屬表示，因當前數位轉型(DX)、減碳動向加速，帶動濺鍍靶材、壓延銅箔需求大幅增長，且預估今後該兩項產品市場將呈現持續性、大幅度的成長，因此將藉由增產、機動性因應需求擴大。
JX金屬指出，將投資約140億日圓興建濺鍍靶材新工廠、預計2023年度下半年(2024年3月底前)開始進行生產，藉此將濺鍍靶材產能較現行(和2020年度相比)擴增80%；壓延銅箔新廠投資額為160億日圓、預計2024年度上半年(2024年9月底前)開始進行生產，藉此將壓延銅箔產能較現行提高25%。
日經新聞報導，因台積電、英特爾等半導體大廠相繼發表增產計畫，因此JX金屬擬藉由增產因應長期性需求增加。JX金屬半導體用濺鍍靶材全球市佔率達6成。
JX金屬社長村山誠一於8日舉行的記者會上表示，「半導體大廠計畫在全球各地興建工廠，因此將提高供應能力、因應需求」。
台積電、Sony 11月9日共同宣布，將在日本熊本縣興建一座採用22/28奈米(nm)製程的晶圓廠，初期設備投資額(資本支出)預估約70億美元(約8,000億日圓)。該座新廠將在2022年開始興建、2024年底之前開始進行生產，月產能為4.5萬片(以12吋晶圓換算)。
＊編者按：本文僅供參考之用，並不構成要約、招攬或邀請、誘使、任何不論種類或形式之申述或訂立任何建議及推薦，讀者務請運用個人獨立思考能力，自行作出投資決定，如因相關建議招致損失，概與《精實財經媒體》、編者及作者無涉。
