MoneyDJ新聞 2016-07-20 08:28:48 記者 蔡承啟 報導
日經新聞20日報導，因中國、台灣智慧手機廠商紛紛強化產品功能、帶動記憶體需求大增，加上三星電子西安工廠6月因附近變電廠爆炸而一度停工，帶動使用於智慧手機、記憶卡的NAND型快閃記憶體(Flash Memory)交易價格轉趨走揚，指標性產品6月份批發價在1個月期間內飆漲22%。
報導指出，6月份MLC(Multi-Level Cell)類型64Gb NAND價格揚升至每個2.75美元、為2年9個月以來首度走升，其中也有部分交易價格超過3美元，且進入7月以來價格仍持續走揚。據英國調查公司TechNavio指出，2016年全球NAND整體出貨量預估將年增3成至超過100億個。
據報導，6月中旬三星位於西安的半導體工廠因附近變電廠爆炸導致電壓不足而一度停工，而該座工廠目前雖已重啟生產，不過據悉上述變電廠爆炸事件目前仍對供應量帶來影響。三星西安工廠主要生產3D NAND Flash。
南韓媒體朝鮮日報日文版6月20日報導，三星關係人士表示，「就像鄰居水管破裂會造成水壓不足一樣，三星西安工廠部分半導體設備因感測到電壓下滑、而自動停工，西安工廠半導體產能約10%因此受到影響」。
BusinessKorea、南韓時報報導，消息人士透露，小米創辦人雷軍或將飛往南韓，會晤三星記憶體部門主管Jeon Young-hyun，預料會向三星加碼採購記憶體。
近來記憶體容量增大成了業界趨勢。三星Galaxy S7和LG G5都有4GB LPDDR4 DRAM和超過20GB NAND flash，小米尚未趕上，因此急尋供應商，推測小米應會向三星採購NAND flash。
韓聯社7月12日報導，南韓三星電子2016年Q1(2016年1-3月)NAND型快閃記憶體(Flash Memoy)全球銷售額創下歷史新高紀錄、穩坐全球龍頭位置。報導指出，根據IHS的資料顯示，Q1三星NAND Flash銷售額較前一季(2015年Q4)成長3.1%至26.15億美元，增幅是整體市場(成長1.6%)的近2倍水準，市佔率也從前一季的42.0%上揚至42.6%。
排名第二位東芝(Toshiba)市佔率雖從24.0%大幅揚升至28.0%，不過與三星之間仍有高達14.6個百分點的差距；第三位為美國美光(Micron)的18.8%、南韓SK Hynix則以10.6%的市佔率位居第4位。
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