美Transphorm狂飆 瑞薩溢價35%收購、取GaN技術

2024/01/12 07:44

MoneyDJ新聞 2024-01-12 07:44:48 記者 蔡承啟 報導

日本半導體大廠瑞薩電子(Renesas Electronics)宣布將溢價35%收購美國氮化鎵(GaN)功率半導體廠商Transphorm、藉此取得GaN技術,激勵Transphorm昨日(11日)股價狂飆。

根據MoneyDJ XQ全球贏家系統報價,Transphorm 11日暴漲25.86%、收4.77美元,創近10個月來(2023年3月21日以來)收盤新高水準。

瑞薩11日發布新聞稿宣布,已和Transphorm簽訂契約,瑞薩將透過子公司收購Transphorm、目標以每股5.10美元的價格取得Transphorm已發行的所有普通股,收購總額約3.39億美元(約492億日圓)。瑞薩表示,以Transphorm 1月10日收盤價(3.79美元)來看、瑞薩開出的收購價溢價約35%。

瑞薩指出,藉由收購Transphorm、將可讓瑞薩取得使用於功率半導體的關鍵次世代材料「GaN」技術,將能讓瑞薩抓住電動車(EV)、數據中心、AI、再生能源等成長顯著的市場機會。

瑞薩表示,在獲得Transphorm股東以及相關監管當局許可後、預計在2024年下半年完成收購案。

日本市調機構富士經濟(Fuji Keizai)公布調查報告指出,因EV等車輛電動化需求、加上太陽能發電等再生能源普及,帶動2023年全球功率半導體市場規模(包含矽製產品和碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鎵等次世代功率半導體)預估將年增12.5%至3兆186億日圓,且之後市場規模將持續擴大,預估2035年將擴增至13兆4,302億日圓、將較2022年暴增4倍(飆增約400%)。

其中,2023年GaN功率半導體市場規模預估將年增32.6%至57億日圓,2035年預估將擴大至740億日圓、將較2022年暴增16.2倍。

(圖片來源:Transphorm)

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