MoneyDJ新聞 2018-01-24 13:59:14 記者 蔡承啟 報導
昭和電工(Showa Denko K.K.)23日發布新聞稿宣布，將對電源控制晶片材料「碳化矽(SiC)外延晶圓(Epitaxial Wafer)」祭出加碼增產措施、將SiC晶圓產能擴增至現行的2.3倍。
昭和電工表示，該公司雖已於2017年9月宣布增產SiC晶圓，目標在2018年4月將SiC晶圓月產能自現行的3,000片提高至5,000片，不過因預估2018年年中時，新設備也將產能全開、因此決議進行加碼投資措施。
昭和電工增產的對象為SiC外延晶圓中的高品質產品「High-Grade Epitaxial(HGE)」。HGE的缺陷密度壓低至0.1個/cm2以下水準，因獲得高度評價，提振其成長幅度高於整體市場表現。
和現行主流的矽(Si)製電源控制晶片相比，SiC製電源控制晶片擁有更優異的耐高溫、耐電壓和大電流特性。而除了原有的電源用途之外，SiC電源控制晶片也加快應用至車用用途。除鐵道車輛的逆變器(inverter)模組之外，在需求急速成長的電動車(EV)市場上，車用充電器及急速充電站也持續轉用SiC電源控制晶片。
根據嘉實XQ全球贏家系統報價，截至台北時間24日13點15分為止，昭和電工重挫1.69%至5,250日圓；昭和電工昨日(23日)收盤價5,340日圓創約11年8個月來(2006年4月10日以來)收盤新高紀錄。
日刊工業新聞於2017年9月15日報導指出，昭和電工目標是在2025年將全球SiC晶圓市佔率自現行的2成擴大至3成的水準。據報導，2016年全球SiC外延晶圓市場規模約100億日圓、2025年預估將擴大至600億日圓。
據調查公司富士經濟指出，2016年全球電源控制晶片市場規模為2.42兆日圓，其中絕大部分為矽製產品，SiC等次世代產品比重不到1%、不過預估2025年有望擴大至6%。
日刊工業新聞2017年11月6日報導，因看準車用需求增加，故東芝(Toshiba)將擴增電源控制晶片產能，計畫在2017年度內(2018年3月底前)將矽(Si)電源控制晶片產能較現行提高20%、作為次世代產品的碳化矽(SiC)電源控制晶片產能則計畫大幅擴增至現行的5倍。電源控制晶片被視為是穩定的市場，加上今後電動車(EV)等車用需求備受期待。
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