精實新聞 2012-09-04 16:58:39 記者 王彤勻 報導
國際半導體展SEMICON即將於明(5日)開跑，並於今日舉辦展前記者會，包括台積電(2330)研發副總林本堅、台積電營運/12吋廠副總王建光(見左圖)均出席，說明未來台積電於先進製程的發展佈局。王建光指出，順利的話，台積電於2018年就能開始量產18吋晶圓，而切入的製程則會是10奈米。
王建光表示，今年可說是推動450mm(即 18吋)晶圓興奮的一年，主要是今年初全球450mm聯盟成立，包括英特爾、三星、台積電、IBM、GlobalFoundries等5大半導體廠商均加入，每家企業並貢獻20位技術專家，到紐約參與450mm晶圓的討論，希望以最經濟、有效的方式來為450mm建立新的標準，對未來規格的制訂盡快形成共識，期待將來450mm一生產「一槍就能中的」。
而關於台積電日前入股ASML，對18吋晶圓的生產推動助益如何？王建光則是指出，希望於2015年初能夠取得EUV(極紫外光微影技術)的Demo Tool，而在2016-2017年漸漸建立起450mm的上下游供應鏈，順利的話，台積電於2018年就能開始量產18吋晶圓，而切入的製程會是10奈米。
而林本堅也進一步解釋，目前台積電規劃中的製程演進，是從28奈米，依序走到20奈米、16奈米、10奈米，現階段20奈米進度順利，已接近量產階段。惟他也坦言，台積電原本預估在20奈米製程就要採用EUV技術，但摩爾定律不斷滾動，因此「等不及」，現在20奈米仍採用雙重曝光技術(Double-patterning)生產，而下一世代的16奈米FinFET製程估計也還會持續採用雙重曝光技術。
林本堅指出，畢竟雙重曝光技術仍相當昂貴，台積電原本期待EUV的選項能給公司「帶來解脫」，但目前技術還不成熟，也因此他認為，EUV技術在10奈米的時候再導入可能性較高，而多重曝光(multiple-patterning)也會是另一個選項。
