精實新聞 2013-09-05 13:24:53 記者 羅毓嘉 報導
半導體設備大廠應用材料(Applied Materials)集團副總裁余定陸(見附圖)表示，受行動應用帶動，晶圓代工廠與NAND Flash廠積極推動製程升級，預估晶圓代工廠將製程自28/32奈米升級至14/16鰭式電晶體(FinFET)、NAND廠則推動2D轉3D製程，蘊含的磊晶、沈積、蝕刻設備需求，可望在未來3年內為半導體設備業增加25-35%的全新商機。
2006年時行動裝置的出貨量僅佔個人電腦(PC與NB)的3成左右，不過自2010年以來行動裝置出貨量正以驚人的成長速度超越個人電腦。在2012年行動裝置出貨量已達個人電腦的2.3倍、2013年仍持續以強勁力道主導科技產業，預估到2016年行動裝置出貨量將可望高達20億支，達個人電腦的5.7%。
應材集團副總裁暨台灣區總裁余定陸指出，行動應用與個人電腦應用晶片最大不同在於對耗電量與運作溫度的差異，以手機APU運算能力來看，2瓦電力就已足夠，不過Ultrabook的CPU運算能力雖達手機APU的4倍，耗電卻達50瓦，運作溫度更可能高達80度，因此晶片供應商在提高運算效能同時，如何藉由製程的升級、減少電晶體耗電，已成關鍵議題。
尤其值得注意的是，進入行動世代以來，半導體產業供應鏈當中IC設計公司、晶圓代工廠、與後段封測業者合作扮演的角色更形吃重。在2006-2008年間，晶圓代工佔全部半導體設備資本支出比重僅11%，到2012年比重已快速拉高到36%，余定陸認為，到2016年時晶圓代工廠設備支出佔比將近一步拉高到42%，對應用材料更為有利。
余定陸說明，自28/32奈米製程以降的先進製程世代，提昇電晶體效能關鍵已從過去的成影縮微(litho-scaling)，轉至半導體材料與結構的創新，尤其28奈米製程已有90%的效能改進來自於新材料在磊晶等製程階段的應用；同時，NAND記憶體自2D轉進3D製程的趨勢，讓成影密度(litho intensity)大幅降低，不過對導入新材料所需的沈積、蝕刻設備需求則大幅增加，新的廠房設備投資亦捎來半導體設備業的成長潛力。
根據應用材料的預估，晶圓代工廠將製程自28/32奈米升級至14/16鰭式電晶體(FinFET)、NAND廠則推動2D轉3D製程，蘊含的磊晶、沈積、蝕刻設備需求，可望在未來3年內為半導體設備業增加25-35%的全新商機。若以2012年為基礎，應材持續看好半導體材料的創新應用，將為晶圓設備(WFE)新增8億美元的市場。
