MoneyDJ新聞 2022-07-27 06:51:19 記者 蔡承啟 報導
搶攻需求看旺的電動車(EV)商機，日本富士電機(Fuji Electric)傳出將大幅增產碳化矽(SiC)功率半導體，計畫將SiC產能擴增至現行的10倍、目標奪下全球2成市佔。
日經新聞26日報導，富士電機計劃在2024年度將使用SiC的次世代功率半導體產能擴增至當前(2020年度)的約10倍水準，主因來自EV等電動化車款的需求預估將擴大。富士電機目前已生產新幹線零件用SiC功率半導體，而為了為今後供應給汽車產業使用預作準備、將在日本國內的工廠整備量產體制。目前已有多家企業決定採用富士電機的EV用SiC功率半導體產品。
據報導，富士電機目前已開始生產SiC功率半導體的松本工廠將自2022年度起陸續進行增產，且子公司「富士電機津輕半導體」的工廠內也將導入SiC功率半導體產線、並將在2024年度開始進行量產。富士電機目標在2025年度將SiC功率半導體佔半導體事業營收比重提高至10%左右、目標在2025-2026年期間將全球SiC功率半導體市佔率提高至2成。
報導指出，和現行主流的矽(Si)製產品相比，SiC製產品能承受更高的電壓、大幅降低功率耗損，可有助於延長EV續航距離和實現電池小型化。
SiC功率半導體需求旺、2030年估跳增11.8倍
日本市調機構富士經濟(Fuji Keizai)5月23日公布調查報告指出，因汽車/電子設備需求擴大，2022年全球功率半導體市場規模(包含矽製產品和碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鎵等次世代功率半導體)預估將年增11.8%至2兆3,386億日圓，且之後市場規模將持續擴大，預估2030年將擴增至5兆3,587億日圓、將較2021年增加1.6倍(增加約160%)。
其中，2022年矽製功率半導體市場規模預估將年增10.0%至2兆2,137億日圓，2030年預估將擴大至4兆3,118億日圓、將較2021年增加1.1倍；2022年SiC等次世代功率半導體市場規模預估將年增58.7%至1,249億日圓，之後市場規模將呈現急速擴大，預估2030年將達1兆469億日圓、突破兆圓大關、將較2021年暴增12.3倍。
就次世代功率半導體的細項來看，2022年SiC功率半導體市場規模(包含SiC-SBD、SiC-FET、SiC功率模組)預估將年增59.5%至1,206億日圓，2030年預估將擴大至9,694億日圓、將較2021年暴增11.8倍；2022年GaN功率半導體市場規模預估將年增21.9%至39億日圓，2030年預估將擴大至305億日圓、將較2021年暴增8.5倍；2022年氧化鎵功率半導體市場規模預估為3億日圓、2030年有望擴大至470億日圓。
日廠搶攻EV用SiC功率半導體
日刊工業新聞6月9日報導，日本半導體IDM大廠羅姆(Rohm)社長松本功表示，目標在2025年度之前將SiC功率半導體營收提高至1,000億日圓以上水準，將投資約1,500億日圓、把SiC功率半導體產能擴增至2021年度的約6倍水準。松本功表示，「目標在2025年之前、奪下SiC功率半導體全球市佔龍頭位置」。
日媒去年12月3日報導，因看好來自EV的需求有望呈現急速擴大，東芝半導體事業子公司「東芝電子元件及儲存裝置(Toshiba Electronic Devices & Storage)」計劃在2023年度將旗下姬路半導體工廠的SiC功率半導體產量擴增至2020年度的3倍、之後計劃在2025年度進一步擴增至10倍，目標最遲在2030年度取得全球1成以上市佔率。
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