MoneyDJ新聞 2026-09-29 13:07:05 郭妍希 發佈
第三代半導體氮化鎵(GaN)功率IC領導大廠納微半導體(Navitas Semiconductor，股票代號為NVTS.US)獲美國陸軍選中，參與下一代10 kV碳化矽(SiC)功率半導體開發計畫，消息激勵公司股價盤後跳高。
華爾街日報、Stocktwits報導，根據Navitas 28日盤後發布的新聞稿，公司取得ALATTIS (Accelerated, Large-Area, 10 kV SiC IGBT)原型開發計畫，將研發下一代10 kV SiC絕緣閘雙極電晶體(IGBT)及相關PiN二極體技術，用於美軍關鍵任務系統。
計畫由美國陸軍研究實驗室(Army Research Laboratory，縮寫為ARL)贊助，並獲聯合實驗與技術加速器(Joint Experimentation and Technology Accelerator，縮寫JETX)支持。
這項計畫另一重點是建立美國本土製造能力。Navitas將透過反覆設計、製造與測試，開發並驗證目前美國尚未具備的10 kV IGBT本土製程。
Navitas表示，公司是在美國多家SiC技術業者的競爭評選中獲選，評估項目包括超高壓SiC技術、國防等級的效能與可靠度，以及以美國為核心的製造供應鏈。
Navitas 28日在正常盤下挫3.85%、收11.73美元；盤後跳高，至截稿前大漲10.57%、報12.97美元。
(圖片來源：Navitas)
＊編者按：本文僅供參考之用，並不構成要約、招攬或邀請、誘使、任何不論種類或形式之申述或訂立任何建議及推薦，讀者 務請運用 個人獨立思考能力，自行作出投資決定，如因相關建議招致損失，概與《精實財經媒體》、編者及作者無涉。
