MoneyDJ新聞 2020-11-13 13:59:12 記者 陳苓 報導
三星電子在NAND flash記憶體的領先地位鬆動？美國記憶體大廠美光(Micron)超車三星，搶先發布了176層的NAND flash。據悉三星苦苦追趕，希望能在明年推出160層或176層的NAND flash。
The Motley Fool 11日報導，週一(9日)美光宣布，研發出業界首見的176層NAND flash，已經進入量產，並出貨給客戶。據了解業界領袖三星仍停留128層，正加緊研發，打算在2021年4月之前，推出160層或176層NAND flash。
美光的NAND市佔只有三星的1/3，卻捷足先登、率先研發出176層科技(見下圖)。176層NAND flash比128層多了近40%，是重大領先優勢，美光有望取得更多獲利。
韓國時報12日報導，外界原本期望三星會在今年量產第七代V-NAND flash。但是據傳該公司遭遇技術挑戰，決定改變作法，原本估計堆疊層數在190層以上、現在降至176層，而且該公司發現單棧(single-stack)堆疊技術，很難堆到128層以上，轉用雙棧(double-stack)技術。
內情人士表示：「美光和SK海力士都用雙棧科技增加NAND層數，三星原本想用單棧堆至200層，如今似乎發現技術上的限制」。雙棧是指兩個NAND晶片上下相疊，以增加層數。
三星拒絕證實次世代NAND研發時程延誤，但是坦承推出新技術的速度落後美光。三星高層說：「技術變化導致該公司必須花費更多時間和成本修改製程，計畫明年發布次世代NAND產品」。
三星前有埋伏、後有追兵。另一記憶體大廠SK海力士正在研發176層的4D NAND flash，全力追趕三星。近來SK海力士買下了英特爾(Intel)的NAND部門，取得了重大技術優勢---四層儲存單元(quadruple level cell)，此種技術每單位能儲存4位元的數據，優於當前主流的三層儲存單元(triple level cell)。
＊編者按：本文僅供參考之用，並不構成要約、招攬或邀請、誘使、任何不論種類或形式之申述或訂立任何建議及推薦，讀者務請運用個人獨立思考能力，自行作出投資決定，如因相關建議招致損失，概與《精實財經媒體》、編者及作者無涉。
