MoneyDJ新聞 2026-09-08 10:52:35 郭妍希 發佈
韓媒傳出，三星電子(Samsung Electronics)的4奈米製程中，用於生產第6代高頻寬記憶體「HBM4」基底晶粒(Base Die)的產能比重，近期已突破50%。
Wccftech引述ZDNet報導，綜合三星電子內外部7日消息，截至8月，三星電子整體4奈米產能中，已有超過50%分配給HBM4基底晶粒。
一名熟悉相關情況的人士透露，「三星電子4奈米製程目前處於滿載生產狀態，據了解，其中HBM4基底晶粒占比已達50%至60%左右，預計整個下半年都將維持在高檔。」
三星電子目前在平澤(Pyeongtaek)第2園區(P2)與第3園區(P3)的晶圓代工產線S5、S6，量產4~7奈米級製程。其中，分配給4奈米製程的產能推估每月約3萬片晶圓。以此計算，目前每月投入HBM4基底晶粒生產的晶圓約達1.5萬片。
基底晶粒位於HBM最底層，是支撐並控制整體結構的控制器晶片，又稱邏輯晶粒(logic die)，負責高速連接GPU、CPU等外部處理器與HBM之間的資料傳輸。
在此之前，8月也曾有報導指出，三星考慮採用2奈米製程生產HBM基底晶粒。ZDNet當時報導，三星有意將器興(Giheung)工業園區的一條既有產線轉作相關生產用途。
報導並指出，採用2奈米製程的HBM基底晶粒，可能專門用於供應AI晶片大廠輝達(Nvidia Corp.)的產品。
(圖片來源：shutterstock)
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