精實新聞 2013-02-05 17:22:59 記者 羅毓嘉 報導
記憶體封測廠力成(6239)董事長蔡篤恭指出，力成持續調降標準型DRAM產能，減低對DRAM的依賴，儘管今年Q1仍具挑戰性，但蔡篤恭強調，Q2起力成長年佈局的新封裝技術產能將會拉高、客戶驗證也逐步完成，接下來力成營運將逐漸往上爬升，雖不可能恢復到「一飛沖天」，但至少「最痛苦的一段已經過去」。
力成的標準型DRAM月產能在2011年曾高達2億顆，到去年Q4已降至每月1.5億顆，今年Q1目標是降到1.2億顆，Q2則將近一步降至1億顆以下，對標準型DRAM的依賴亦有所降低。蔡篤恭表示，過去力成對標準型DRAM的營收依賴度超過50%，期望本季標準DRAM比重降到40%，Q2則續降到35%。
蔡篤恭直指，標準型DRAM市場的供需正漸趨平衡，力成調降標準DRAM產能、將產能轉到mobile與Flash端，一開始要找到其他業務來填補DRAM營收缺口「是很辛苦」，不過事實上力成去年Q4面對DRAM續軟的態勢，單一營收仍力保持平，顯示出其他新技術產品正穩健增長。
蔡篤恭表示，隨著mobile DRAM庫存修正在Q1告一段落、Q2起回升，再加上NAND Flash在高端電子產品的需求還是非常大，且力成在晶圓薄化(thin wafer)、多晶片堆疊(multi die)等封裝技術領先全球封裝同業，Q2可預期將有不錯的表現空間。
測試領域方面，蔡篤恭坦言去年有較多的測試機台處於閒置當中，不過今年起受惠於SSD對於NAND Flash可靠度的要求提高，Flash測試機台正滿載運轉，力成也規劃將部分標準DRAM測試產能轉至NAND Flash端；同時，力成有50%的測試機台折舊將在Q2結束，Q3起測試生產線的「成本結構將變得很有競爭力」，轉而為力成的優勢。
針對銅柱凸塊(Copper Pillar Bump, CPB)、Flip Chip(覆晶封裝)、MEMS麥克風、CMOS影像感測器矽鑽孔(TSV)等新技術產品的佈局進度，蔡篤恭則表示，CPB已經投入量產，良率不錯，其他各生產線則將在Q2間逐步就位、配合拉高產能，隨客戶認證陸續完成，今年度起會有不錯的表現空間。
目前力成的覆晶封裝產能為每月250萬顆，蔡篤恭指出，力成規劃將產能在Q2期間倍增至500萬顆，主要供應給AP(應用處理器)等智慧型手機晶片應用，客戶認證已近尾聲，Q2起可放量；而MEMS(微機電麥克風)的產能亦就位，6月起月產能可達1-200萬顆，年底續擴至500萬顆。用於12吋晶圓CMOS影像感測器封裝的TSV技術，進度也在規劃之中，預期Q2至Q3可開始服務客戶。
力成去年資本支出約70億元，蔡篤恭表示今年應會維持同一水準，主要投入NAND Flash和新技術的擴充，其中20億元投入NAND Flash產能擴充、50億元則用來擴展新技術與相應產能。
去年力成合併營收為416.11億元，年增5.5%，全年稅後盈餘為36.11億元，年減23.9%，EPS為4.63元。
