MoneyDJ新聞 2026-10-05 15:38:51 數位內容中心 發佈
Micron Technology（MU.US）
2026會計年度第四季，美光表示2027年大部分高頻寬記憶體（HBM）產量已簽妥供應協議，客戶財務承諾升至320億美元，剩餘履約義務增至約1,500億美元。同期公司也指出，2027年新增資本支出大多將投入廠房建設，以加快2028年底後的DRAM無塵室空間建置。
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NVIDIA（NVDA.US）
6/5，NVIDIA執行長Jensen Huang確認SK hynix、Samsung、Micron均已完成高頻寬記憶體4（HBM4）驗證並開始量產，將供應Vera Rubin平台。原始資料同時顯示，2027年Rubin Ultra的HBM配置假設改為約一半8層堆疊、另一半12層堆疊，平均容量由1,024GB下修至640GB。
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SanDisk（SNDK.US）
本週資料顯示，SanDisk正送樣BiCS10 1Tb三層單元儲存（TLC）NAND，位元密度較BiCS8提高59%；資料中心在2026會計年度結束時已占其位元組合38%，高於一年前約12%。同批資料也提到，公司正投資高頻寬快閃記憶體（HBF），樣品將於明年送交客戶。
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Tesla（TSLA.US）
本週資料指出，Tesla為確保Optimus人形機器人量產所需晶片供應，將AI5的記憶體配置減半至72GB低功耗雙倍資料速率5（LPDDR5），AI6削減三分之一至144GB低功耗雙倍資料速率6（LPDDR6）。兩款晶片的記憶體頻寬維持不變，呈現終端系統端的降容量、保頻寬調整。
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SK hynix（SKHY.US）
原始資料顯示，SK hynix於2026年第一季全球HBM市場營收市占約58%，高於Samsung與Micron各21%；在NVIDIA的HBM供應占比超過60%，並已拿下Vera Rubin超過三分之二的HBM供應訂單。同季HBM銷售年增超過一倍，占總營收比重升至42%。
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