精實新聞 2012-04-23 12:19:24 記者 羅毓嘉 報導
產業研究機構Yole Développement發佈砷化鎵晶圓調查報告指出，在行動通訊需求增長與LED一般照明滲透率提高的推升之下，預估在2012年至2017年間的砷化鎵磊晶基板(GaAs substrate)產值將以11%的年複合成長率往上攀升，並在2017年達到6.5億美元規模。
根據Yole Développement的統計，2011年砷化鎵基板的產值達到3.6億美元，年增率約僅4%，相較於2010年產值年增率為22%，出現成長大幅放緩的狀況，不過Yole Développement認為，2012年開始射頻元件需求增長趨勢重新確立，再加上LED一般照明滲透率日漸上升，可望帶動砷化鎵基板產值年複合成長率重回2位數百分比。
Yole Développement預估，2012年至2017年的砷化鎵基板產值將以11%的年複合成長率往上攀升，到2017年總產值將達到6.5億美元。
在未來5年間帶動砷化鎵基板需求成長的主要引擎，無疑將是受到3G/4G終端市場的帶動，逐日攀高的行動用射頻元件市場。不過，Yole Développement指出，包括LED照明、高聚光型太陽能(High Concentration Photovoltaics, HCPV)電廠的需求，也將推升砷化鎵基板總產值持續增溫。
Yole Développement也在報告中直指，近期各砷化鎵基板大廠均宣告將擴產、拉高產能，一方面承接了部份日系砷化鎵基板廠商在2011年的東北大地震當中廠房受損的市佔率缺口，另一方面則是為了迎接市場需求的成長趨勢，全球砷化鎵基板總產值仍將持續往上。
