精實新聞 2013-07-08 18:02:30 記者 羅毓嘉 報導
III-V族半導體磊晶廠F-IET(英特磊,4971)預定於本月24日回台上櫃，總經理高永中(見附圖)表示，F-IET挾MBE(分子束磊晶)的設備自主能力，同時與國際級客戶結成密切夥伴關係、並持續強化高毛利率產品比重，成為F-IET競爭利基；F-IET董事長康潤生則指出，F-IET成立以來營收年均複合成長率(CAGR)達3成，未來也將以維持此一水平努力。
F-IET成立於1999年，實收股本為2.59億元，公司營運主體設立於美國德州，採用MBE技術從事砷化鎵(GaAs)、銻化鎵(GaSb)、磷化銦(InP)化鎵等III-V族化合物半導體磊晶(Epi)的生產，產品應用範圍包括無線通訊、衛星通訊、光纖通訊等商業用途，以及在太空與國防上的紅外線感測、夜視、攝影等產品。
2010-2012年間，F-IET營收為3.82億元、5.52億元、5.58億元，因高毛利率的銻化鎵(GaSb)、磷化銦(InP)比重提昇，毛利率從36.1%一路提昇至42.5%，催化F-IET近3年EPS自2.91元、3.59元，拉高到去年的4.53元，成長動能相當鮮明。
F-IET總經理高永中指出，相較於市場較為熟悉的MOCVD(有機金屬氣相沈積法)磊晶片，已有超過95%釋出給代工廠生產，採用MBE技術製造的磊晶則仍有很大的IDM廠委外商機，正是F-IET的機會所在。我國的另一磊晶廠全新(2455)即是採MOCVD製程生產砷化鎵HBT、pHEMT磊晶。
高永中說明，目前世界上僅存2家以MBE技術生產III-V族磊晶的廠商，除了F-IET之外，就是全球磊晶龍頭廠IQE，高永中看好來自無線開關(switch)、WLAN功率擴大器、乃至雲端、光通訊、紅外線雷達等應用，將成為推升磊晶片需求的主要引擎，帶動公司穩健的成長動能。
F-IET董事長康潤生表示，F-IET成立近15年來，在2001-2009年間的營收年均複合成長率達30%，儘管2010-2012年間受整體市況動盪影響，成長率有所下降，不過長線來看F-IET仍將以維持30%的CAGR為目標努力。康潤生同時也指出，F-IET不排除透過併購、策略聯盟等方式，來催化業績衝勁，目前已有案子在接洽，若成案將再對外說明。
展望今年營運狀況，高永中指出，預期今年度營收估較2012年小幅成長，不過因為今年毛利率較低的砷化鎵比重會較去年上升，因產品組合改變，預估純益率將較去年的21.6%微幅下滑；不過高永中強調，長期來看，F-IET的磷化銦、銻化鎵等高端產品的比重合計仍會往超過50%目標邁進。
觀察2012年F-IET的產品組合，砷化鎵磊晶佔比約39.6%，磷化銦磊晶佔比40.3%，銻化鎵等其他磊晶合計佔4.5%，其他勞務佔約15.6%。
