MoneyDJ新聞 2026-05-26 14:00:37 郭妍希 發佈
AI軍備競賽逐漸白熱化，繪圖處理器(GPU)效能不斷提升，高頻寬記憶體(HBM)的堆疊層數與傳輸速度也隨之跳高。然而，「散熱」已成為AI晶片的技術瓶頸。南韓記憶體大廠SK海力士(SK hynix)宣布推出全新「iHBM」解決方案，直接在晶片封裝內部植入冷卻元件，將熱阻(thermal resistance)大幅降低30%。分析指出，下一階段的HBM霸主爭奪戰，勝負關鍵已從「單純的堆疊技術」轉向「散熱控制能力」。
BusinessKorea報導，SK海力士25日透過新聞稿指出，傳統的HBM產品依賴間接散熱，熱量必須穿過核心晶體管才能排到外部；該公司的iHBM技術則是將名為「ICE」(Integrated Cooling Elements，整合冷卻元件)的結構直接放置在發熱最嚴重的「晶片對晶片實體層」(D2D PHY)區域。
SK海力士並表示，iHBM散熱技術準備部署於HBM5等次世代HBM產品線。
HBM的架構是將多顆記憶體晶粒垂直堆疊，這導致內部熱量極難散發。特別是HBM與GPU之間進行超高速數據交換的介面——「D2D PHY」，已成為內部發熱最嚴重的區域。
ICE是一種矽基冷卻元件，具備不導電但高導熱的獨特物理特性，就像是直接在HBM封裝內部塞入一塊「微型散熱片」，為高熱區域開闢一條專屬的直接排熱路徑。將ICE放置在最熱的D2D PHY區域，能成功將熱阻大減30%。
這麼做可確保晶片即使處於「高溫、高負載」的極端環境，依然能達成較佳的運作穩定度。
業界專家警告，若無法妥善解決散熱問題，AI晶片將面臨降速、良率下滑以及系統不穩定的風險。因此，能否有效管理散熱，將直接定義下一代HBM的市場競爭力。
(圖片來源：shutterstock)
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