光模組封裝邁向半導體化製程 上游InP材料成戰略資源

2026/09/10 13:07

MoneyDJ新聞 2026-09-10 13:07:03 新聞中心 發佈

根據DIGITIMES最新研究報告指出,隨著AI推動800G與1.6T高速傳輸世代,矽光子(SiPh)正推動光模組封裝邁向半導體化製程。DIGITIMES預估,全球光模組市場規模將自2025年的126億美元擴增至2030年的454億美元;產品結構由400G加速轉向800G,而1.6T自2026年起正式放量,3.2T則預計於2028年後接棒。

然而,伴隨高速傳輸世代交替,核心關鍵零組件面臨材料供給限制,DIGITIMES預估2026年全球低差排密度(EPD)雷射級磷化銦(InP)有效產能與需求缺口將超過7成,供需失衡現象將直接影響高階模組出貨節奏,掀起全球光通訊供應鏈新一輪戰略資源卡位戰。

DIGITIMES分析師許凱崴認為,光模組架構主流已由分立元件轉為矽光子整合。矽光子技術將調變器、光偵測器、分光、波導與耦合整合於單一矽光子積體電路(PIC),光元件由24個以上收斂為1顆PIC加上2~4顆連續波(CW)雷射,並以CMOS成熟製程晶圓級量產,擴產跟著晶圓代工節奏走。惟「矽不發光」的物理限制,光源仍須外掛InP,矽光子滲透率提高反而拉動更多InP需求。在此架構下,技術瓶頸由元件製造難度上移至最前端材料供給,促使國際大廠紛紛改以入股或購併等策略性投資提前鎖定上游產能。

在市場與競爭態勢方面,光模組技術規格升級將考驗上游業者的量產能力。許凱崴指出,光模組從400G演進至3.2T皆維持8通道設計,規格壓力集中在每通道翻倍至200G/lane的電吸收調變雷射(EML)。由於EML材料結構複雜且波長對頻公差極窄,量產初期良率一度落在15%區間,加上世代週期由4年壓縮至2年,上一代良率尚未完全跨越學習曲線,下一代規格已至,導致200G EML裸芯價格自5~7美元調整至每顆20~25美元,全球交期已排至2027年。

目前全球上游高階InP基板更逾9成由住友電工、AXT與JX金屬三家掌握。台系供應鏈雖在磊晶、雷射代工、先進封測及設備展現優勢,惟最前端InP基板與可插拔PIC晶圓代工兩處仍屬斷點。

展望未來,許凱崴表示,2026年後光通訊產業的競爭本質在於「供給面量產節奏」與「架構過渡期的多軌並行」。儘管光引擎朝向ASIC靠攏的共同封裝光學(CPO)已成共識,但在標準協議、光纖連接架構與可拆卸維護三大關鍵尚未齊備前,資料中心高速互連仍以可插拔光模組為出貨主力。許凱崴認為,具備高度彈性以策略性投資鎖定關鍵雷射產能、並深化跨環節生態系整合的系統業者,將能突破上游材料瓶頸,在此波技術過渡期確立關鍵競爭優勢。

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