MoneyDJ新聞 2015-12-29 15:05:20 記者 陳瑞哲 報導
誰說14奈米的快閃記憶體不可行？南韓兩家記憶體廠前仆後繼挑戰這項不可能的任務有成，其中三星已經準備好轉入量產，而SK海力士預計2016年也將突破瓶頸。
韓國媒體ETnews引述業內消息報導指出，三星預劃2016年上半年開始量產14奈米NAND快閃記憶體，且1月底在舊金山舉行的國際固態電路論壇（ISSCC）上就有成品可先行展出。
與16奈米相比，14奈米浮動閘極（floating gate）面積減少12.5%，這意謂著每片晶圓的記憶體晶片產出將增加，而平均生產成本則降低，使得產品更具價格競爭力。除了三星之外，海力士從年初時也下決心著手開發14奈米技術，研發工作預估將在明年上半年完成，年末應可順利進入量產。
快閃記憶體是將電子包入浮動閘極，藉以此永久儲存資訊。業界原認為15~16奈米是記憶體維縮極限的原因在於，浮動閘極面積會隨維縮製程縮小，面積太小則將導致電子儲存空間不足。不過，三星似乎已想到方法克服這項障礙。
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