《美股主題週報》高密度/頻寬記憶體—MU、TSM、AMD

2026/07/13 16:12

MoneyDJ新聞 2026-07-13 16:12:50 數位內容中心 發佈

Micron Technology(MU.US)

7月資料顯示,Micron的高頻寬記憶體(HBM)已以長約鎖定需求,16家大型客戶合計對應220億美元合約營收,且HBM供應滿載至2026年底。另一則產品訊號是HBM4 12層堆疊已達36GB、頻寬超過2.8TB/s,並在2026年第一季開始為NVIDIA Vera Rubin平台大量出貨。

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Taiwan Semiconductor Manufacturing Company(TSM.US)

7月資料顯示,Taiwan Semiconductor Manufacturing Company的先進封裝CoWoS仍是HBM供應鏈關鍵瓶頸,產能已售罄至2026年,後段交期達52至78週。公司目標在2026年底把CoWoS月產能提升至12.5萬至13萬片,代表AI GPU與HBM交付仍高度依賴其擴產進度。

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Advanced Micro Devices(AMD.US)

本週可記住的訊號來自AMD平台規格上修:Instinct MI350 Series最高搭載288GB高頻寬記憶體(HBM3E),峰值理論記憶體頻寬達8TB/s。這使記憶體競爭從單顆晶片延伸到整機總容量與總頻寬,也同步拉升HBM3E與先進封裝需求。

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NVIDIA Corporation(NVDA.US)

原始資料顯示,NVIDIA 2027會計年度第一季資料中心營收達752億美元,在總營收816億美元中占比極高。Blackwell、GB系列與Vera Rubin平台被直接點名為同時推升HBM、網通與CoWoS需求的主因,仍是本週記憶體鏈最直接的需求引擎。

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SanDisk Corporation(SNDK.US)

本週最特殊的訊號來自SanDisk與SK hynix合作推進高頻寬快閃記憶體(HBF),單一stack容量可達約512GB,裝置最高可達4TB,頻寬可超過1.6TB/s。原始資料並稱其在內部推論測試中,與容量不受限HBM相比效能差距約2.2%,顯示AI推論記憶體開始出現HBM外的新路線。

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SK hynix(SKHY.US)

7月10日,SK hynix正式以美國存託憑證(ADR)在Nasdaq掛牌,發行1,779萬份ADR、發行價149美元,超額認購超過7倍。這是本週最強的資本市場訊號之一,直接對應市場對其HBM3E、HBM4與AI伺服器動態隨機存取記憶體(DRAM)供應地位的高度押注。

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Samsung Electronics

7月9日,美國商務部長公開要求Samsung Electronics擴大在美國的記憶體生產,以回應AI相關記憶體短缺。同期資料亦提到,公司正擴大量產12層HBM3E,並把HBM4單堆疊目標推進至1.5+TB/s頻寬,顯示其公開訊號已重新聚焦HBM供應擴張。

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