AI夯 傳三星伺服器DRAM、商用NAND擬漲價15~20%

2024/06/27 11:59

MoneyDJ新聞 2024-06-27 11:59:59 記者 郭妍希 報導

市場謠傳,三星電子(Samsung Electronics Co.)準備於第三季將伺服器DRAM、商用NAND型快閃記憶體報價調漲15~20%。

Pulse by Maeil Business News Korea 27日引述未具名消息人士報導,三星漲價是為了因應AI帶動的記憶體晶片需求潮,這有望提升該公司下半年的業績表現。

報導引述業界26日消息指出,三星最近已將漲價決定通知戴爾(Dell Technologies Inc.)、慧與科技(Hewlett Packard Enterprise Co.)等重要客戶。

三星負責半導體業務的「裝置解決方案」(Device Solutions,DS)部門,26日在京畿道華城廠舉行全球戰略會議。這場會議是由DS部門新任負責人兼副董事長全永鉉(Young Hyun Jun)首次主持,其他與會者包括記憶體部門負責人Lee Jung-bae、晶圓代工事業負責人Choi Si-young,以及大型積體電路系統(system large-scale integration)部負責人Park Yong-in。

三星已於Q2將商用NAND型快閃記憶體報價調漲超過20%。AI熱潮導致伺服器需求跳增,讓大規模的漲價行動延續至今(2024)年下半年。

伺服器DRAM的代表性產品——DDR4 (64GB),Q3報價原預料只會從前季的140美元略升至144美元,如今有可能會超過160美元。一名業界內部人透露,「客戶原只提供一季的需求方案給晶片業者,如今卻把計畫拉長至一年,顯示鞏固供應已成為重點。」「由於目前是供應商主導的市場,最終談定的報價,有可能會增加超過15%。」

三星DS部門去年淨損高達15兆韓圜(107.8億美元)、創歷史新高紀錄,主要是受到產業景氣欠佳影響。不過,DS部門今年Q1營益達到1.91兆韓圜,為五季以來首次轉虧為盈。

三星、SK海力士急調2成DRAM產能助陣HBM

受到AI需求熱潮,三星日前透露,手上的高頻寬記憶體(HBM)已全部賣光。三星、SK海力士(SK Hynix Inc.)並異口同聲預測,今(2024)年DRAM及HBM報價都可望走堅。

《韓國經濟日報》5月13日報導,為了滿足需求,三星、SK海力士都已將超過20%的DRAM生產線改為生產HBM。這兩家業者在Samsung Securities於5月9~10日主辦的投資人關係會議上透露,基於上述原因,DRAM產出趨緩的步調將跟需求達成一致。

(圖片來源:三星電子)

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